[发明专利]半导体发射器以及用于从激光中产生有效光的方法

权利要求书

1.一种半导体发射器（1；12；14；18；21；23；25；27；30；32；34），具有放大介质（2）和至少一个设置在所述放大介质（2）上的波导（3，4），其中

-在至少一个波导（3）上存在至少一个光耦合输出区域（10；13；15；19；20；22；24；26a-e；33；35），并且

-至少一种转换波长的发光材料（11；28；31r，31g，31b）设置在至少一个耦合输出区域（10；13；15；19，20；22；24；26a-e；33；35）的下游。

2.根据权利要求1所述的半导体发射器（1；12；18；21；23；25；27；30；32；34），其中所述光耦合输出区域（10；13；15；19，20；22；24；26a-e；33；35）构成为所述波导（3，4）中的留空部（10；13；19；20；22；24；26a-e；33；35）。

3.根据权利要求2所述的半导体发射器（1；12；18；21；23；25；27；30；32；34），其中所述留空部（10；13；19；20；22；24；26a-e；33；35）在朝向所述放大介质（2）的方向上具有逐渐变尖的形状、特别是横截面为V形的基本形状。

4.根据权利要求2至3中任一项所述的半导体发射器（25），其中所述半导体发射器（25）具有多个不同的深度（t）的留空部（26a-e）。

5.根据权利要求2至4中任一项所述的半导体发射器（32），其中至少一个留空部（33）至少延伸直至所述放大介质（2）中。

6.根据权利要求2至5中任一项所述的半导体发射器（1；12；14；18；21；23；25；27；30；32；34），其中所述留空部（10；13；19；20；22；24；26a-e；33；35）至少部分地用至少一种发光材料（11；28；31g，31b，31r）来填充。

7.根据上述权利要求中任一项所述的半导体发射器（14），其中所述光耦合输出区域（15）具有在所述波导（3）的空的表面（36）上的散射结构。

8.根据上述权利要求中任一项所述的半导体发射器（14），其中光导结构（11，16，17）设置在所述光耦合输出区域（15）的下游，所述光导结构设计为，用于将从所述光耦合输出区域（15）射出的光束导向至少一种发光材料（11）。

9.根据上述权利要求中任一项所述的半导体发射器（27），其中波长选择滤波器（29）、特别是反射器，设置在所述耦合输出区域（13）中的至少一个耦合输出区域的至少一种发光材料（28）的下游，所述滤波器使得已被所述发光材料（28）转换波长的光透过并且使得未转换波长的光被阻挡，特别是将未转换波长的光向回反射到所述半导体发射器（27）中。

10.一种用于从激光（L）中产生有效光（N；Nr，Ng，Nb）的方法，其中所述有效光（N；Nr，Ng，Nb）从为了产生所述激光（L）而设置在放大介质（2）上的至少一个波导（3，4）中被耦合输出。