[发明专利]绝缘栅晶体管及其生产方法

摘要

本文提供了在发射极侧(11)上的发射极电极(2)与在集电极侧(15)上的集电极电极(25)之间具有层的IGBT，包括：第一传导率类型的漂移层(8)，基极层(5)，其电接触发射极电极(2)并且与漂移层(8)完全分隔，第一源极区域(7)，其布置在基极层(6)上朝向发射极侧(11)并且电接触发射极电极(2)，第一沟槽栅电极(3)，其对基极层(5)横向布置并且通过第一绝缘层(31)与基极层(5)、第一源极区域(7)和漂移层(8)分隔，其中沟道可在发射极电极(2)、第一源极区域(7)、基极层(5)与漂移层(8)之间形成，第二绝缘层(32)，其布置在第一沟槽栅电极(3)之上，增强层(6)，其至少在与发射极侧(11)平行的平面中分隔基极层(5)和漂移层(8)，-接地栅电极(4)，其包括第二接地沟槽栅电极(41)和导电层(42)，其中，第二沟槽栅电极(41)对基极层(5)横向布置，并且第二沟槽栅电极(41)通过第三绝缘层(43)与基极层(5)、增强层(6)和漂移层(8)分隔，其中，导电层(42)覆盖第二沟槽栅电极(41)，并且延伸到其外至少到在基极层(5)上方的区域，其中，导电层(42)通过第四电绝缘层(44)与基极层(5)分隔；以及其中，导电层(42)接触第二沟槽栅电极(41)，第五绝缘层(45)，其布置在第二沟槽栅电极(41)之上，第五绝缘层(45)具有凹口(47)，使得导电层(42)电接触发射极电极(2)。

主权项

 一种在发射极侧(11)上的发射极电极(2)和与所述发射极侧(11)相对的集电极侧(15)上的集电极电极(25)之间具有层的绝缘栅双极晶体管(1)，包括：‑   第一传导率类型的低掺杂漂移层(8)，‑   与所述第一传导率类型不同的第二传导率类型的集电极层(9)，其布置在所述漂移层(8)与所述集电极电极(25)之间并且电接触所述集电极电极(25)，‑   第二传导率类型的基极层(5)，所述基极层(5)布置在所述漂移层(8)与所述发射极电极(2)之间，所述基极层(5)电接触所述发射极电极(2)并且所述基极层(5)与所述漂移层(8)完全分隔，‑   所述第一传导率类型的第一源极区域(7)，所述第一源极区域布置在所述基极层(5)上朝向所述发射极侧(11)并且电接触所述发射极电极(2)，所述第一源极区域(7)具有比所述漂移层(8)更高的掺杂浓度，‑   第一沟槽栅电极(3)，其对所述基极层(5)横向布置并且比所述基极层(5)更深地延伸到所述漂移层(8)中，并且所述第一沟槽栅电极(3)通过第一绝缘层(31)与所述基极层(5)、所述第一源极区域(7)和所述漂移层(8)分隔，其中沟道可在所述发射极电极(2)、所述第一源极区域(7)、所述基极层(5)与所述漂移层(8)之间形成，‑   第二绝缘层(32)，其布置在所述第一沟槽栅电极(3)之上的所述发射极电极(11)上，‑   所述第一传导率类型的增强层(6)，其具有比所述漂移层(8)更高的掺杂浓度，并且布置在所述基极层(5)与所述漂移层(8)之间，其中所述增强层(6)至少在与所述发射极侧(11)平行的平面中分隔所述基极层(5)和所述漂移层(8)，‑   栅电极(4)，其包括第二沟槽栅电极(41)和导电层(42)，两者均电连接到所述发射极电极(2)，其中所述第二沟槽栅电极(41)对所述基极层(5)横向布置，并且比所述基极层(5)更深地延伸到所述漂移层(8)中，以及所述第二沟槽栅电极(41)通过第三绝缘层(43)与任何周围层或区域分隔，其中所述增强层(8)包围所述基极层(5)，使得所述基极层(5)与所述漂移层(8)和所述第三绝缘层(43)分隔，其中所述导电层(42)覆盖所述第二沟槽栅电极(41)，并且横向延伸到所述第二沟槽栅电极(41)外面至少到在所述基极层(5)上方的区域，其中所述导电层(42)通过第四电绝缘层(44)与所述基极层(5)分隔，其中所述导电层(42)接触所述第二沟槽栅电极(41)，‑   第五绝缘层(45)，其布置在所述导电层(42)之上的所述发射极侧(11)上，所述第五绝缘层(45)具有凹口(47)，使得所述导电层(42)电接触所述发射极电极(2)。