[发明专利]具有倾斜超结漂移结构的DMOS晶体管无效
| 申请号： | 201280028956.1 | 申请日： | 2012-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN103620786A | 公开（公告）日： | 2014-03-05 |
| 发明（设计）人： | A·萨多夫尼科夫;W·弗兰茨;E·马佐蒂;R·W·小富特;P·J·霍波;P·博拉;V·瓦施琛克 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有较低导通状态漏源电阻和较高击穿电压的DMOS晶体管（200），其利用沿着开口（214）的侧壁（218）定位的倾斜超结漂移结构（222），其中漏区（220）处于该开口的底部并且源区（232）靠近该开口的顶部。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 倾斜 漂移 结构 dmos 晶体管 | ||
【主权项】：
一种DMOS晶体管，其包括：半导体结构，其具有：顶表面；从所述顶表面延伸到所述半导体结构内的开口，所述开口具有底表面和侧壁表面；接触所述开口的所述底表面的第一导电类型的漏区；接触所述顶表面的第二导电类型的体区；接触所述开口的所述侧壁表面的漂移结构，所述漂移结构具有所述第一导电类型的第一区和所述第二导电类型的第二区，所述第一区接触所述漏区并且具有充分平行于所述开口的所述侧壁表面的第一区表面，所述第二区接触所述体区并且具有接触所述第一区表面的第二区表面；接触所述体区的所述第一导电类型的源区；以及水平地位于所述漂移结构和所述源区之间并与二者接触的所述体区的沟道区。
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