[发明专利]化合物半导体及其用途有效
| 申请号： | 201280023009.3 | 申请日： | 2012-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN103534200B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 朴哲凞;金兑训 | 申请（专利权）人： | LG化学株式会社 |
| 主分类号： | C01B19/00 | 分类号： | C01B19/00;C01G15/00;C01G51/00;C01G30/00 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司11327 | 代理人： | 黄丽娟,陈英俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了可用于太阳能电池或用作热电材料的新型化合物半导体及其用途。根据本发明的化合物半导体可以由以下化学式1表示[化学式1]InxMyCo4‑m‑aAmSb12‑n‑z‑bXnTez，其中，在化学式1中，M是选自Ca、Sr、Ba、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ag、Cd、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种；A是选自Fe、Ni、Ru、Rh、Pd、Ir和Pt中的至少一种；X是选自Si、Ga、Ge和Sn中的至少一种；0<x<1；0<y<1；0≤m≤1；0≤n<9；0<z≤2；0≤a≤1；0<b≤3；0<n+z+b<12。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 及其 用途 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体，由以下化学式1表示：化学式1InxMyCo4‑m‑aAmSb12‑n‑z‑bXnTez其中，在化学式1中，M是Zn；A是选自Fe、Ni、Ru、Rh、Pd、Ir和Pt中的至少一种；X是选自Si、Ga、Ge和Sn中的至少一种；0<x<1；0<y<1；0≤m≤1；0≤n<9；0<z≤2；0<a≤1；0<b≤3；0<n+z+b<12。
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