[发明专利]光电二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 201280017393.6 | 申请日： | 2012-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN103477449A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 藤井慧;石塚贵司;秋田胜史 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/10 | 分类号： | H01L31/10;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种光电二极管等，其中在不增加暗电流的情况下将光接收灵敏度扩展至近红外光的长波长的光电二极管。本发明的光电二极管特征在于提供有定位在InP衬底（1）上并具有II型多量子阱结构的光接收层（3），InGaAs层（3a）和GaAsSb层（3b）在II型多量子阱结构中交替层叠，并且具有使得InGaAs或GaAsSb的带隙能量在各个InGaAs层或各个GaAsSb层内朝向顶表面或底表面降低的在厚度方向上的组分梯度。 | ||
| 搜索关键词： | 光电二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种包含III‑V族化合物半导体的光电二极管，所述光电二极管包括：吸收层，所述吸收层定位在III‑V族化合物半导体衬底上，并且具有交替层叠第一半导体层和第二半导体层的II型多量子阱结构，其中所述第一半导体层具有所述第一半导体层的带隙能量朝向所述第一半导体层的顶表面或底表面降低的在厚度方向上的组分梯度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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