[发明专利]等离子体增强式化学气相沉积设备及其控制方法有效
申请号: | 201280015136.9 | 申请日: | 2012-03-16 |
公开(公告)号: | CN103443326A | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
发明(设计)人: | 辛镇赫;金廷奎;李光浩;李长祐;李文甲;吴定根 | 申请(专利权)人: | LG电子株式会社 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;C23C16/513;C23C16/44 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 付永莉;郑特强 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 公开了一种等离子体增强式化学气相沉积设备,其包括:室,其中执行等离子体反应以将功能膜设置到接纳在其中的物体;托台,与物体机械连接和电连接;运送机,将所述托台从所述室外运送到室内;以及电源,向所述托台供电,所述电源包括当运送所述托台时远离所述托台并当所述托台停止时与所述托台接触的移动触点。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 增强 化学 沉积 设备 及其 控制 方法 | ||
【主权项】:
一种等离子体增强式化学气相沉积设备,包括:室,在所述室中执行等离子体反应,以将功能膜设置到接纳在所述室中的物体;托台,与所述物体机械连接和电连接;运送机,用以将所述托台从所述室的外部运送到内部;以及电源,用以向所述托台供电,所述电源包括移动触点,当所述托台被运送时,所述移动触点远离所述托台,当所述托台被停止时,所述移动触点与所述托台接触。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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