[发明专利]植物照明装置与方法在审
| 申请号： | 201280012664.9 | 申请日： | 2012-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN103563102A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 拉尔斯·艾卡拉;伊尔卡·基维马基 | 申请（专利权）人： | 瓦洛亚公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;A01G7/04 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 张颖;谢丽娜 |
| 地址： | 芬兰赫*** | 国省代码： | 芬兰;FI |
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| 摘要： | 本发明涉及一种产生供植物栽培用的人造光的改良方法。更具体而言，本发明涉及一种具有半导体光发射方案的照明装置及适用于温室环境中植物栽培的装置。认为本发明的最佳模式为具有由胶体法制备以产生量子点的尺寸分布的二元合金量子点（110、120、130、140、150、160）的照明装置，其产生与光合作用有效辐射（PAR）光谱类似的发射光谱。本发明的方法及配置允许对植物（310、311）栽培中所用光的发射光谱进行更精确光谱调谐。因此，本发明实现在植物生长的光形态形成控制方面的出乎意外的改良及在植物生产方面的进一步改良。 | ||
| 搜索关键词： | 植物 照明 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种用于植物栽培的照明装置，其特征在于所述照明装置（100）包含不同尺寸的多个量子点（110、120、130、140、150、160）。
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- 2009-09-10 - 2011-10-12 - H01L33/06
- 本发明涉及一种III族氮化物半导体发光器件，所述III族氮化物半导体发光器件包括：n型氮化物半导体层、掺有p型掺杂剂的p型氮化物半导体层、位于所述n型氮化物半导体层和所述p型氮化物半导体层之间并包括通过电子和空穴的复合而发光的量子阱层的有源层、和设置在所述量子阱层和所述p型氮化物半导体层之间并与这两层接触的扩散阻挡层，该层的表面形成为使得与所述p型氮化物半导体层的界面平滑并防止所述p型掺杂剂扩散到所述量子阱层中。
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