[发明专利]绝缘栅双极型晶体管有效
| 申请号： | 201280011777.7 | 申请日： | 2012-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN103403872A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 斋藤顺;町田悟 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/36 |
| 代理公司： | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 黄威;董领逊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在IGBT（10）中，以弯曲形状延伸而具有转角的沟槽（70a、70b）形成于半导体衬底的上表面中。沟槽（70a、70b）的内面覆盖有绝缘膜。栅极被置于沟槽（70a、70b）内。发射极和集电极分别形成在半导体衬底的上表面和下表面上。发射极区域、体区域、漂移区以及集电极区域形成于半导体衬底中。发射极区域是由n型半导体形成的，与绝缘膜相接触，并且与发射电极欧姆接触。体区域是由p型半导体形成的，与发射极区域下方的绝缘膜相接触，与沟槽（70a、70b）的内转角部（72-1、72-2）的绝缘膜相接触，并且与发射电极欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 栅双极型 晶体管 | ||
【主权项】：
绝缘栅双极型晶体管（IGBT），其特征在于包括：半导体衬底；发射电极；集电电极；以及栅电极，其中：沟槽，其形成于所述半导体衬底的第一主面内，所述第一主面是所述半导体衬底的一个主面，所述沟槽以弯曲形状延伸以在所述半导体衬底的平面图中在第一主面侧上具有转角；所述沟槽的内面覆盖有绝缘膜；所述栅电极被置于所述沟槽内；所述发射电极形成于所述半导体衬底的所述第一主面上；所述集电电极形成于所述半导体衬底的第二主面上，所述第二主面是所述半导体衬底的另一个主面；以及其中，所述半导体衬底中包括：发射极区域，其由n型半导体形成，与所述绝缘膜相接触，并且与所述发射电极欧姆接触；体区域，其由p型半导体形成，在与所述发射极区域相邻的位置处与所述绝缘膜相接触且在所述沟槽的内转角部处与所述绝缘膜相接触，并且与所述发射电极欧姆接触；漂移区，其由n型半导体形成，形成在相对于所述体区域较接近所述第二主面的侧上，通过所述体区域与所述发射极区域分隔开，并且与所述沟槽的第二主面侧端部的所述绝缘膜相接触；以及集电极区域，其由p型半导体形成，形成在相对于所述漂移区较接近所述第二主面的侧上，通过所述漂移区与所述体区域分隔开，并且与所述集电电极欧姆接触。
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