[发明专利]半导体元件、半导体装置、及其制造方法有效
| 申请号： | 201280009601.8 | 申请日： | 2012-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN103548142A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 庭山雅彦;内田正雄 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 樊建中 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本申请所公开的半导体元件的制造方法包含：工序(A)，在半导体基板上形成第1导电型的第1碳化硅半导体层；工序(B)，在第1碳化硅半导体层上形成对体区域进行规定的第1掩模；工序(C)，使用第1掩模，在第1碳化硅半导体层中形成第2导电型的体注入区域；工序(D)，在第1掩模的侧面形成侧壁；工序(E)，使用第1掩模及侧壁，在第1碳化硅半导体层中形成第1导电型的杂质注入区域及第2导电型的第1体注入区域；和工序(F)，对第1碳化硅半导体层进行热处理。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件的制造方法，包含：工序(A)，在半导体基板上形成第1导电型的第1碳化硅半导体层；工序(B)，在所述第1碳化硅半导体层上形成对体区域进行规定的第1掩模；工序(C)，使用所述第1掩模，通过注入第2导电型的杂质而在所述第1碳化硅半导体层中形成体注入区域；工序(D)，在所述第1掩模的侧面形成侧壁；工序(E)，使用所述第1掩模及所述侧壁，通过注入第1导电型的杂质而在所述第1碳化硅半导体层中形成杂质注入区域，通过注入第2导电型的杂质而在所述第1碳化硅半导体层中形成第1体注入区域；以及工序(F)，通过对所述第1碳化硅半导体层进行热处理而由所述杂质注入区域及所述第1体注入区域分别形成杂质区域及第1体区域，在所述体注入区域的所述杂质注入区域及所述第1体注入区域以外的区域对第2体区域进行划分，在所述第1碳化硅半导体层的体注入区域以外的区域对漂移区域进行划分。
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