[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201280005200.5 | 申请日： | 2012-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN103299431A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 川岛慎吾;中田幸伸;村井淳人;田中信也 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体装置(100A)包括：具有第一接触区域(4a)和第二接触区域(4b)以及位于第一接触区域(4a)与第二接触区域(4b)之间的沟道区域(4c)的氧化物半导体层(4)；在氧化物半导体层(4)上以与第一接触区域(4a)接触的方式形成的源极电极(5)；和在氧化物半导体层(4)上以与第二接触区域(4b)接触的方式形成的漏极电极(6)。氧化物半导体层(4)的所有侧面位于栅极电极(2)上，源极电极(5)的宽度大于氧化物半导体层(4)的宽度，漏极电极(6)的宽度大于氧化物半导体层(4)的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，包括：基板；形成在所述基板上的栅极电极；形成在所述栅极电极上的栅极绝缘层；岛状的氧化物半导体层，其形成在所述栅极绝缘层上，并且具有第一接触区域和第二接触区域以及位于所述第一接触区域与所述第二接触区域之间的沟道区域；在所述氧化物半导体层上以与所述第一接触区域接触的方式形成的源极电极；和在所述氧化物半导体层上以与所述第二接触区域接触的方式形成的漏极电极，所述氧化物半导体层的所有侧面位于所述栅极电极上，在垂直于所述基板且沿着沟道宽度方向横切所述第一接触区域的截面，所述源极电极的宽度大于所述氧化物半导体层的宽度，在垂直于所述基板且沿着沟道宽度方向横切所述第二接触区域的截面，所述漏极电极的宽度大于所述氧化物半导体层的宽度。
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