[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

基板；

形成在所述基板上的栅极电极；

形成在所述栅极电极上的栅极绝缘层；

岛状的氧化物半导体层，其形成在所述栅极绝缘层上，并且具有第一接触区域和第二接触区域以及位于所述第一接触区域与所述第二接触区域之间的沟道区域；

在所述氧化物半导体层上以与所述第一接触区域接触的方式形成的源极电极；和

在所述氧化物半导体层上以与所述第二接触区域接触的方式形成的漏极电极，

所述氧化物半导体层的所有侧面位于所述栅极电极上，

在垂直于所述基板且沿着沟道宽度方向横切所述第一接触区域的截面，所述源极电极的宽度大于所述氧化物半导体层的宽度，

在垂直于所述基板且沿着沟道宽度方向横切所述第二接触区域的截面，所述漏极电极的宽度大于所述氧化物半导体层的宽度。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述源极电极覆盖所述氧化物半导体层的表面中的、所述第一接触区域和所述第一接触区域的位于沟道宽度方向的侧面，

所述漏极电极覆盖所述氧化物半导体层的表面中的、所述第二接触区域和所述第二接触区域的位于沟道宽度方向的侧面。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：

所述氧化物半导体层的表面中，除了所述沟道区域的上表面和所述沟道区域的位于沟道宽度方向的侧面之外的所有上表面和侧面被所述源极电极或所述漏极电极覆盖。

4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

所述氧化物半导体层的表面中，所述沟道区域的上表面和所述沟道区域的位于沟道宽度方向的侧面被含有氧的绝缘膜覆盖，并且与所述含有氧的绝缘膜接触，

当从所述基板的法线方向看时，所述氧化物半导体层中的没有被所述源极电极和所述漏极电极覆盖的部分，具有第一凹部或第一缺口部。

5.一种半导体装置，其特征在于，包括：

基板；

形成在所述基板上的栅极电极；

形成在所述栅极电极上的栅极绝缘层；

岛状的氧化物半导体层，其形成在所述栅极绝缘层上并且具有第一接触区域和第二接触区域以及位于所述第一接触区域与所述第二接触区域之间的沟道区域；

在所述氧化物半导体层上以与所述第一接触区域接触的方式形成的源极电极；和

在所述氧化物半导体层上以与所述第二接触区域接触的方式形成的漏极电极，

所述氧化物半导体层的所有侧面位于所述栅极电极上，

所述氧化物半导体层的所述沟道区域的表面和侧面以外的区域被所述源极电极和所述漏极电极覆盖，

所述氧化物半导体层中的没有被所述源极电极和所述漏极电极覆盖的区域被含有氧的绝缘膜覆盖，并且与所述含有氧的绝缘膜接触，

当从所述基板的法线方向看时，所述氧化物半导体层中的没有被所述源极电极和所述漏极电极覆盖的部分，具有第一凹部或第一缺口部。

6.如权利要求4或5所述的半导体装置，其特征在于：

从所述基板的法线方向看，当将夹着所述沟道区域的侧面的所述源极电极与所述漏极电极之间的距离设为L时，所述第一凹部或所述第一缺口部的沟道长度方向的长度和沟道宽度方向的长度分别独立地大于0且为L/2以下。

7.如权利要求4～6中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

所述含有氧的绝缘膜由SiO₂形成。

8.如权利要求1～7中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

当从所述基板的法线方向看时，所述源极电极具有凹部，所述漏极电极位于所述凹部内。

9.如权利要求1～8中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

所述第一接触区域和所述第二接触区域有多个。

10.如权利要求1～9中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

所述氧化物半导体层含有In、Ga和Zn。