[发明专利]制造碳化硅半导体器件的方法

摘要

通过掩膜层（31）中的开口（OP）将第一导电类型的杂质注入到碳化硅衬底（90）上。分别形成由第一和第二材料制成的第一和第二膜（32，33）。在各向异性蚀刻过程中感测对第一材料执行的蚀刻，且随后停止各向异性蚀刻。通过由第一和第二膜（32，33）而变窄的开口（OP）将第二导电类型的杂质注入到碳化硅衬底（90）上。因此，可以以精确地自对准方式形成杂质区。

主权项

一种制造碳化硅半导体器件（100）的方法，包括以下步骤：在碳化硅衬底（90）上形成掩膜层（31），所述掩膜层包括覆盖所述碳化硅衬底的覆盖部分（CV）以及具有侧壁（S1）的开口（OP）；通过所述掩膜层中的所述开口将第一导电类型的杂质注入到所述碳化硅衬底上；在其上已经形成了所述掩膜层的所述碳化硅衬底上形成由第一材料制成的第一膜（32），所述第一膜包括布置在所述覆盖部分上的第一部分（P1）、布置在所述开口的所述侧壁上的第二部分（P2）、以及布置在所述开口中的所述碳化硅衬底上的第三部分（P3）；在其上已经形成了所述掩膜层和所述第一膜的所述碳化硅衬底上形成由与所述第一材料不同的第二材料制成的第二膜（33），所述第二膜包括布置在所述第一膜的所述第一至第三部分中的每一个上的部分；开始各向异性蚀刻，所述各向异性蚀刻用于移除所述第二膜的布置在所述第一膜的所述第三部分上的部分；感测在所述各向异性蚀刻期间执行对所述第一材料的蚀刻；在感测执行对所述第一材料的蚀刻的步骤中感测到执行对所述第一材料的蚀刻之后，停止所述各向异性蚀刻；并且在所述停止所述各向异性蚀刻的步骤之后，通过由于所述第一膜的所述第二部分以及布置在所述第二部分上的所述第二膜而变窄的所述开口，将第二导电类型的杂质注入到所述碳化硅衬底上。