[发明专利]制造碳化硅半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造碳化硅半导体器件（100）的方法，包括以下步骤：

在碳化硅衬底（90）上形成掩膜层（31），所述掩膜层包括覆盖所述碳化硅衬底的覆盖部分（CV）以及具有侧壁（S1）的开口（OP）；

通过所述掩膜层中的所述开口将第一导电类型的杂质注入到所述碳化硅衬底上；

在其上已经形成了所述掩膜层的所述碳化硅衬底上形成由第一材料制成的第一膜（32），所述第一膜包括布置在所述覆盖部分上的第一部分（P1）、布置在所述开口的所述侧壁上的第二部分（P2）、以及布置在所述开口中的所述碳化硅衬底上的第三部分（P3）；

在其上已经形成了所述掩膜层和所述第一膜的所述碳化硅衬底上形成由与所述第一材料不同的第二材料制成的第二膜（33），所述第二膜包括布置在所述第一膜的所述第一至第三部分中的每一个上的部分；

开始各向异性蚀刻，所述各向异性蚀刻用于移除所述第二膜的布置在所述第一膜的所述第三部分上的部分；

感测在所述各向异性蚀刻期间执行对所述第一材料的蚀刻；

在感测执行对所述第一材料的蚀刻的步骤中感测到执行对所述第一材料的蚀刻之后，停止所述各向异性蚀刻；并且

在所述停止所述各向异性蚀刻的步骤之后，通过由于所述第一膜的所述第二部分以及布置在所述第二部分上的所述第二膜而变窄的所述开口，将第二导电类型的杂质注入到所述碳化硅衬底上。

2.根据权利要求1所述的制造碳化硅半导体器件的方法，其中

所述掩膜层由所述第二材料制成。

3.根据权利要求1所述的制造碳化硅半导体器件的方法，在所述形成第一膜的步骤之后且所述形成第二膜的步骤之前，进一步包括以下步骤：

形成由与所述第一材料不同的材料制成的第三膜（34）；并且

在所述第三膜上形成由所述第一材料制成的第四膜（35）。

4.根据权利要求1所述的制造碳化硅半导体器件的方法，在所述形成掩膜层的步骤之前，进一步包括在所述碳化硅衬底上形成底层（50）的步骤。

5.根据权利要求4所述的制造碳化硅半导体器件的方法，其中

所述底层由所述第一材料制成。

6.根据权利要求4所述的制造碳化硅半导体器件的方法，其中

所述底层由与所述第一材料不同的材料制成。

7.根据权利要求1所述的制造碳化硅半导体器件的方法，其中

所述第一材料不包含金属元素。

8.根据权利要求7所述的制造碳化硅半导体器件的方法，其中

所述第一材料由硅基材料和碳基材料中的任意一种制成。