[发明专利]硅晶片的原子级平坦化表面处理方法及热处理装置无效
| 申请号： | 201280000929.3 | 申请日： | 2012-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN103443910A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 大见忠弘;寺本章伸;诹访智之 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人东北大学 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/02;H01L21/302 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明为表面由单原子层的台阶形成有呈阶梯状的多个平台的硅晶片，在所述晶片中不存在滑移线。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 原子 平坦 表面 处理 方法 热处理 装置 | ||
【主权项】：
一种硅晶片的原子级平坦化的表面处理方法，其特征在于，其采用热处理装置对硅晶片进行热处理，所述热处理装置具有双重空间结构，所述双重空间结构通过将气体输送路在其与所述热处理装置连接的连接部分离而成，所述气体输送路用于从外部向热处理装置的硅晶片的热处理空间导入热处理环境气体，该双重空间结构是内空间与所述热处理空间连通、外空间不与所述热处理空间连通而将所输送的气体排出到外部的结构，在硅晶片的热处理过程中，使所述热处理环境气体流向所述内空间，使所述热处理环境气体或与所述热处理环境气体同等的气体流向所述外空间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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