[发明专利]硅晶片的原子级平坦化表面处理方法及热处理装置

权利要求书

1.一种硅晶片的原子级平坦化的表面处理方法，其特征在于，

其采用热处理装置对硅晶片进行热处理，所述热处理装置具有双重空间结构，所述双重空间结构通过将气体输送路在其与所述热处理装置连接的连接部分离而成，所述气体输送路用于从外部向热处理装置的硅晶片的热处理空间导入热处理环境气体，该双重空间结构是内空间与所述热处理空间连通、外空间不与所述热处理空间连通而将所输送的气体排出到外部的结构，

在硅晶片的热处理过程中，使所述热处理环境气体流向所述内空间，使所述热处理环境气体或与所述热处理环境气体同等的气体流向所述外空间。

2.一种硅晶片的原子级平坦化的表面处理方法，其为利用表面热处理进行的硅晶片的原子级平坦化的表面处理方法，其特征在于，向热处理装置内的设置有硅晶片的热处理空间导入水分含量为0.2vol.ppb以下、氧含量为0.1vol.ppb以下的纯度的热处理环境气体，同时在热处理温度900℃以下进行热处理。

3.一种硅晶片的原子级平坦化的表面处理方法，其为利用表面热处理进行的硅晶片的原子级平坦化的表面处理方法，其特征在于，向热处理装置内的设置有硅晶片的热处理空间导入水分含量为0.02vol.ppb以下、氧含量为0.01vol.ppb以下的纯度的热处理环境气体，同时在热处理温度900℃以下进行热处理。

4.根据权利要求1所述的硅晶片的原子级平坦化的表面处理方法，其特征在于，还向设置有硅晶片的所述热处理空间导入水分含量为0.2vol.ppb以下、氧含量为0.1vol.ppb以下的纯度的热处理环境气体，同时在热处理温度900℃以下进行热处理。

5.一种热处理装置，其特征在于，具有：将热处理空间限定为内侧且为双重结构的外在管、设置在该外在管的外侧的加热器、设置在所述热处理空间内且导入和排出惰性气体的内在管、以及配置在所述内在管的内侧的晶片定位台，

所述外在管具有限定于所述双重结构内部的气体流路，

所述内在管的导入和排出所述惰性气体的部分具有用于导入和排出所述惰性气体的凸缘、以及向用于导入和排出该惰性气体的凸缘的内侧导入惰性气体的导管。

6.根据权利要求5所述的热处理装置，其特征在于，惰性气体在所述外在管的所述气体流路中流动。

7.根据权利要求5或6所述的热处理装置，其特征在于，还预先借助O型环安装所述内在管，从所述热处理空间的外侧向所述O型环供给惰性气体。