[实用新型]一种具有P+没有轻掺杂区域的非挥发性记忆体

摘要

本实用新型涉及一种具有P+没有轻掺杂区域的非挥发性记忆体，其包括半导体基板及记忆体细胞，记忆体细胞包括没有轻掺杂区域的PMOS晶体管、控制电容；半导体基板的表面上淀积有栅介质层，栅介质层上设有浮栅电极，浮栅电极覆盖并贯穿没有轻掺杂区域的PMOS晶体管和控制电容上方对应的栅介质层，浮栅电极的两侧淀积有侧面保护层；没有轻掺杂区域的PMOS晶体管包括第一N型区域及P型源极区与P型漏极区，控制电容包括第二P型区域及第一P型掺杂区域与第二P型掺杂区域。本实用新型结构紧凑，能与CMOS工艺兼容，降低芯片成本，提高存储的安全可靠性。

主权项

一种具有P+没有轻掺杂区域的非挥发性记忆体，包括半导体基板；其特征是：所述半导体基板内的上部设有若干用于存储的记忆体细胞（200），所述记忆体细胞（200）至少包括没有轻掺杂区域的PMOS晶体管（210）和控制电容（220），浮栅电极（216）把没有轻掺杂区域的PMOS晶体管（210）和控制电容（220）联接在一起。