[实用新型]一种具有P+没有轻掺杂区域的非挥发性记忆体

权利要求书

1.一种具有P+没有轻掺杂区域的非挥发性记忆体，包括半导体基板；其特征是：所述半导体基板内的上部设有若干用于存储的记忆体细胞（200），所述记忆体细胞（200）至少包括没有轻掺杂区域的PMOS晶体管（210）和控制电容（220），浮栅电极（216）把没有轻掺杂区域的PMOS晶体管（210）和控制电容（220）联接在一起。

2.根据权利要求1所述的一种具有P+没有轻掺杂区域的非挥发性记忆体，其特征是：所述记忆体细胞（200）是单一多晶架构的非挥发性记忆体。

3.根据权利要求1所述的一种具有P+没有轻掺杂区域的非挥发性记忆体，其特征是：浮栅电极（216）是P+型的单一多晶体。

4.一种具有P+没有轻掺杂区域的非挥发性记忆体，包括半导体基板；其特征是：所述半导体基板内的上部设有若干用于存储的记忆体细胞（200），所述记忆体细胞（200）包括没有轻掺杂区域的PMOS晶体管（210）和控制电容（220）；所述没有轻掺杂区域的PMOS晶体管（210）、控制电容（220）间通过半导体基板内的领域介质区域（214）相互隔离；半导体基板的表面上淀积有栅介质层（215），所述栅介质层（215）上设有浮栅电极（216），所述浮栅电极（216）覆盖并贯穿没有轻掺杂区域的PMOS晶体管（210）和控制电容（220）上方对应的栅介质层（215），浮栅电极（216）的两侧淀积有侧面保护层（217），侧面保护层（217）覆盖浮栅电极（216）的侧壁；没有轻掺杂区域的PMOS晶体管（210）包括第一N型区域（202）及位于所述第一N型区域（202）内上部的P型源极区（213）与P型漏极区（221），控制电容（220）包括第二P型区域（205）及位于所述第二P型区域（205）内上部的第一P型掺杂区域（206）与第二P型掺杂区域（209）与上方的浮栅电极（216）相对应，并分别与相应的栅介质层（215）及领域介质区域（214）相接触。

5.根据权利要求4所述的一种具有P+没有轻掺杂区域的非挥发性记忆体，其特征是：所述半导体基板为P导电类型基板（201）时，所述没有轻掺杂区域的PMOS晶体管（210）和控制电容（220）通过P型导电类型基板（201）内的第二N型区域（203）及第二N型区域（203）上方的第三N型区域（204）与P型导电类型基板（201）相隔离。

6.根据权利要求4所述的一种具有P+没有轻掺杂区域的非挥发性记忆体，其特征是：所述浮栅电极（216）的包括导电多晶硅。

7.根据权利要求4所述的一种具有P+没有轻掺杂区域的非挥发性记忆体，其特征是：所述栅介质层（215）是工艺中I/O晶体管的电极栅氧化层。