[实用新型]一种复合封装的IGBT器件有效

专利信息
申请号: 201220726212.4 申请日: 2012-12-25
公开(公告)号: CN202996833U 公开(公告)日: 2013-06-12
发明(设计)人: 杨林;严向阳;张国光 申请(专利权)人: 佛山市蓝箭电子股份有限公司
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L23/488
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 艾持平
地址: 528051 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型公开了一种复合封装的IGBT器件,包括IGBT芯片和二极管芯片、底板和三个引脚,所述底板与第二引脚连接、与第一引脚和第三引脚隔离,所述IGBT芯片和二极管芯片通过焊料粘接到底板上;所述的IGBT芯片的集电极与二极管芯片的阴极分别通过焊料与底板实现电气连接,IGBT芯片的发射极与二极管芯片的阳极分别通过导电引线与第三引脚的打线区实现电气连接,IGBT芯片的栅极通过导电引线与第一引脚的打线区实现电气连接。本实用新型将上述的两个芯片以反并联的方式封装在一起,形成一个集成度更高、带逆向导通二极管的IGBT分立器件,有效降低整机内部引线电感,提高产品的功率密度,具有结构精巧简单,节省空间,可靠性高等优点。
搜索关键词: 一种 复合 封装 igbt 器件
【主权项】:
一种复合封装的IGBT器件,其特征是,包括IGBT芯片和二极管芯片、底板、三个引脚和封装壳,所述底板与第二引脚连接、与第一引脚和第三引脚隔离,所述IGBT芯片和二极管芯片通过焊料粘接到底板上;所述的IGBT芯片的集电极(C)与二极管芯片的阴极(K)分别通过焊料与底板实现电气连接,IGBT芯片的发射极(E)与二极管芯片的阳极(A)分别通过导电引线与第三引脚的打线区实现电气连接,IGBT芯片的栅极(G)通过导电引线与第一引脚的打线区实现电气连接。
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