[实用新型]金属氧化物半导体场效应晶体管栅极驱动电路及开关电源有效
| 申请号： | 201220669138.7 | 申请日： | 2012-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN202978714U | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 刘军;张振东;魏晨;陈伟龙 | 申请（专利权）人： | 雅达电子国际有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/335 | 分类号： | H02M3/335 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 丁艺;沙捷 |
| 地址： | 中国香港九龙观*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种金属氧化物半导体场效应晶体管栅极驱动电路及开关电源，该MOSFET栅极驱动电路，连接于MOSFET（34）的栅极，包括与所述MOSFET（34）的栅极和源极并联的噪声抑制电路（33）；上述噪声抑制电路（33）包括三极管（Q33）以及第二电阻（R33）；上述三极管（Q33）的发射极与上述MOSFET（34）的源极相连，上述三级管（Q33）的集电极通过与上述第一电阻（R32）串联而连接于所述MOSFET（34）的栅极；上述第二电阻（R33）串联于上述三极管（Q33）的基极和上述次级绕组的一端之间。该MOSFET栅极驱动电路可在抑制栅极噪声的同时保证驱动能力，不增加额外损耗，提高工作可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 栅极 驱动 电路 开关电源 | ||
【主权项】：
一种MOSFET栅极驱动电路，连接于MOSFET（34）的栅极，包括驱动变压器（T3），包括初级绕组和次级绕组；初级驱动电路（31），包括所述初级绕组；以及次级驱动电路（32），包括所述次级绕组，第一电阻（R32）以及辅助开关管（Q32）；其中，所述辅助开关管（Q32）并联于所述MOSFET（34）的栅极和源极；其特征在于，所述MOSFET栅极驱动电路还包括与所述MOSFET（34）的栅极和源极并联的噪声抑制电路（33）；所述噪声抑制电路(33)包括三极管（Q33）以及第二电阻（R33）；所述三极管（Q33）的发射极与所述MOSFET（34）的源极相连，所述三级管（Q33）的集电极通过与所述第一电阻（R32）串联而连接于所述MOSFET（34）的栅极；所述第二电阻（R33）串联于所述三极管（Q33）的基极和所述次级绕组的一端之间。
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