[实用新型]金属氧化物半导体场效应晶体管栅极驱动电路及开关电源

权利要求书

1.一种MOSFET栅极驱动电路，连接于MOSFET（34）的栅极，包括

驱动变压器（T3），包括初级绕组和次级绕组；

初级驱动电路（31），包括所述初级绕组；以及

次级驱动电路（32），包括所述次级绕组，第一电阻（R32）以及辅助开关管（Q32）；

其中，所述辅助开关管（Q32）并联于所述MOSFET（34）的栅极和源极；

其特征在于，所述MOSFET栅极驱动电路还包括与所述MOSFET（34）的栅极和源极并联的噪声抑制电路（33）；所述噪声抑制电路(33)包括三极管（Q33）以及第二电阻（R33）；所述三极管（Q33）的发射极与所述MOSFET（34）的源极相连，所述三级管（Q33）的集电极通过与所述第一电阻（R32）串联而连接于所述MOSFET（34）的栅极；所述第二电阻（R33）串联于所述三极管（Q33）的基极和所述次级绕组的一端之间。

2.根据权利要求1所述的MOSFET栅极驱动电路，其特征在于，所述噪声抑制电路（33）还包括二极管（D34），所述二极管（D34）的阳极连接所述三极管（Q33）的基极，所述二极管（D34）的阴极连接于所述三极管（Q33）集电极。

3.根据权利要求2所述的MOSFET栅极驱动电路，其特征在于，所述二极管（D34）是肖特基二极管或者低压降快速二极管。

4.根据权利要求1或3所述的MOSFET栅极驱动电路，其特征在于，当所述次级绕组电压方向为上负下正时，所述三极管（Q33）导通，并与所述MOSFET（34）组成回路。

5.根据权利要求1或3所述的MOSFET栅极驱动电路，其特征在于，当所述次级绕组电压方向为上负下正时，所述辅助开关管（Q32）导通，并与所述MOSFET（34）和所述第一电阻（R32）组成回路，所述MOSFET（34）关断。

6.根据权利要求1或3所述的MOSFET栅极驱动电路，其特征在于，所述次级驱动电路（32）包括第三电阻（R31），所述第三电阻（R31）串接于所述次级绕组和所述辅助开关管（Q32）的漏极之间，并与所述第一电阻（R32）串联。

7.根据权利要求6所述的MOSFET栅极驱动电路，其特征在于，所述辅助开关管（Q32）是MOSFET，其栅极与所述第二电阻（R33）连接于所述次级绕组的同一端，源极连接于所述MOSFET（34）的源极，漏极连接于所述第一电阻（R32）和第三电阻（R31）的连接节点（A）。

8.根据权利要求6所述的MOSFET栅极驱动电路，其特征在于，当所述次级绕组电压方向为上正下负时，所述辅助开关管（Q32）关断，所述次级绕组与所述第一电阻（R32）、所述第三电阻（R31）以及所述MOSFET（34）组成回路，所述MOSFET（34）导通。

9.一种开关电源，其特征在于，包括如权利要求1-8任一所述的MOSFET栅极驱动电路。