[实用新型]MEMS隧道磁阻高度压力传感器有效
| 申请号： | 201220541804.9 | 申请日： | 2012-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN202853817U | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 李孟委;刘泽文;刘双红;孙剑文 | 申请（专利权）人： | 清华大学;中北大学 |
| 主分类号： | G01L1/12 | 分类号： | G01L1/12 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人： | 贾玉健 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区1*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种MEMS隧道磁阻高度压力传感器，包括键合基板、设置在键合基板上方的铁磁性薄膜承载体、设置在铁磁性薄膜承载体的弹性薄膜的下表面的中心位置的铁磁性薄膜、设置在键合基板上表面中心位置的与铁磁性薄膜正对的隧道磁敏电阻以及固定在铁磁性薄膜承载体上方的保护罩，保护罩上表面的中间设置连通保护罩的内腔和外界的接触孔，被测压力通过接触孔作用在铁磁性薄膜承载体的硅弹性薄膜上并使其发生Z向弯曲，从而带动铁磁性薄膜发生Z向移动，导致其产生的磁场发生微弱变化，引起隧道磁敏电阻阻值发生剧烈变化，电阻值变化影响到外电路的输出电流或电压变化，实现对被测压力的测量，由于海拔与压力之间有一定的关系，通过测得的压力就可以得到海拔高度。 | ||
| 搜索关键词： | mems 隧道 磁阻 高度 压力传感器 | ||
【主权项】：
一种MEMS隧道磁阻高度压力传感器，其特征在于，包括： 键合基板（1）； 铁磁性薄膜承载体（10），设置在键合基板（1）上方，上部分为弹性薄膜（4），下部分为垫衬框体（2），垫衬框体（2）四周与键合基板（1）相连接； 铁磁性薄膜（3），设置在铁磁性薄膜承载体（10）的弹性薄膜（4）下表面的中心位置； 隧道磁敏电阻（7），设置在键合基板（1）上表面中心位置，与铁磁性薄膜（3）的位置正对； 保护罩（5），固定在铁磁性薄膜承载体（10）的上方，保护罩（5）上表面的中间设置连通保护罩（5）的内腔（19）和外界的通孔形的接触孔（6）。
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