[实用新型]MEMS隧道磁阻高度压力传感器

权利要求书

1.一种MEMS隧道磁阻高度压力传感器，其特征在于，包括： 

键合基板（1）； 

铁磁性薄膜承载体（10），设置在键合基板（1）上方，上部分为弹性薄膜（4），下部分为垫衬框体（2），垫衬框体（2）四周与键合基板（1）相连接； 

铁磁性薄膜（3），设置在铁磁性薄膜承载体（10）的弹性薄膜（4）下表面的中心位置； 

隧道磁敏电阻（7），设置在键合基板（1）上表面中心位置，与铁磁性薄膜（3）的位置正对； 

保护罩（5），固定在铁磁性薄膜承载体（10）的上方，保护罩（5）上表面的中间设置连通保护罩（5）的内腔（19）和外界的通孔形的接触孔（6）。 

2.根据权利要求1所述的MEMS隧道磁阻高度压力传感器，其特性在于，所述铁磁性薄膜承载体（10）的X方向的长度小于键合基板（1）的X方向的长度，键合基板（1）相对于铁磁性薄膜承载体（10）有一个延伸区域。 

3.根据权利要求1所述的MEMS隧道磁阻高度压力传感器，其特性在于，所述的弹性薄膜（4）中心区域的厚度大于四周的厚度。 

4.根据权利要求1所述的MEMS隧道磁阻高度压力传感器，其特征在于，所述的垫衬框体（2）为中空框体结构，垫衬框体（2）下面与键合基板（1）相连，上面覆盖弹性薄膜（4），三者形成一个“凹”字形的真空腔（20）。 

5.根据权利要求1所述的MEMS隧道磁阻高度压力传感器，其特征在于，所述的铁磁性薄膜（3）为多层结构。 

6.根据权利要求5所述的MEMS隧道磁阻高度压力传感器，其特征在于，所述多层结构是自上到下依次为：二氧化硅层（11）、二氧化钛层（12）、铂层（13）、铁酸钴层（14）、铁酸铋层（15）。 

7.根据权利要求1所述的MEMS隧道磁阻高度压力传感器，其特征在于， 所述隧道磁敏电阻（7），通过隧道磁敏电阻引出线（8）与隧道磁敏电阻电极（9）相连。 

8.根据权利要求7所述的MEMS隧道磁阻高度压力传感器，其特征在于，所述隧道磁敏电阻电极（9）设置在键合基板（1）的延伸区域的上表面。 

9.根据权利要求1所述的MEMS隧道磁阻高度压力传感器，其特征在于，所述隧道磁敏电阻（7）是在半导体材料衬底层上自上到下依次排布上铁磁层（17）、绝缘层（18）和下铁磁层（19），整个隧道磁敏电阻（7）为多层纳米膜结构。