[实用新型]一种新型的芯片背面硅通孔结构有效
| 申请号： | 201220521673.8 | 申请日： | 2012-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN202905695U | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 陈栋;张黎;胡正勋;陈锦辉;赖志明 | 申请（专利权）人： | 江阴长电先进封装有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼然 |
| 地址： | 214429 江苏省无锡市江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及芯片背面硅通孔的结构，属于半导体芯片封装技术领域。本实用新型一种新型的芯片背面硅通孔结构，它包括芯片本体（1）和设置在芯片本体（1）正面的芯片电极（2），所述芯片本体（1）的背面设置硅通孔（101），所述硅通孔（101）为外大内小的喇叭形，硅通孔（101）的底部直达芯片电极（2）下表面。本实用新型提供了具有喇叭形硅通孔的新型的芯片背面硅通孔结构，该结构的孔壁光滑度好和工艺兼容性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 芯片 背面 硅通孔 结构 | ||
【主权项】：
一种新型的芯片背面硅通孔结构，包括芯片本体（1）和设置在芯片本体（1）正面的芯片电极（2），其特征在于：所述芯片本体（1）的背面设置硅通孔（101），所述硅通孔（101）为外大内小的喇叭形，硅通孔（101）的底部直达芯片电极（2）下表面。
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