[实用新型]一种源区自对准的低栅电容IGBT功率器件有效
| 申请号： | 201220473577.0 | 申请日： | 2012-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN203071078U | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 王新 | 申请（专利权）人： | 深圳市稳先微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种源区自对准的低栅电容IGBT功率器件，包括硅片、热场氧化层、热氧化栅氧层、多晶硅层和二氧化硅层；其特征是，所述硅片上方为热场氧化层，该热场氧化层通过硅片热场氧化形成；所述硅片与热场氧化层之间通过热氧化形成热氧化栅氧层；所述热场氧化层上方淀积有作为栅极导电层的多晶硅层，该多晶硅层上方淀积有二氧化硅层作为多晶硅层的上保护层。本实用新型具有源区自对准、结构简单，制造方便，成本低和产品易保证的诸多优点，本实用新型是将IGBT的制造过程中的厚场氧化保留在硼区外的表面，从而增加了部分栅区的氧化层厚度，因电容是和介质层的厚度成反比，从而使栅电容降低，大大的提高制造成品率，具有很强的经济性和实用性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 对准 电容 igbt 功率 器件 | ||
【主权项】：
一种源区自对准的低栅电容IGBT功率器件，包括硅片、热场氧化层、热氧化栅氧层、多晶硅层和二氧化硅层；其特征是，所述硅片上方为热场氧化层，该热场氧化层通过硅片热场氧化形成；所述硅片与热场氧化层之间通过热氧化形成热氧化栅氧层；所述热场氧化层上方淀积有作为栅极导电层的多晶硅层，该多晶硅层上方淀积有二氧化硅层作为多晶硅层的上保护层。
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