[实用新型]一种沟槽MOSFET

摘要

本实用新型提出了一种沟槽MOSFET，该沟槽MOSFET包括衬底及其上形成的外延层，形成在该外延层内的沟槽及被沟槽分割的轻掺杂区，在沟槽的内表面形成有第一介质层，在沟槽内的第一介质层上形成有导电的填充层，在轻掺杂区内形成有重掺杂区，该沟槽MOSFET还包括外围金属层，栅极金属层，源极金属层和漏极金属层。本实用新型的沟槽MOSFET采用沟槽结构代替传统分压环来控制器件耐压，能够减少工艺步骤，降低成本，提高生产效率和可靠性。

主权项

一种沟槽MOSFET，其特征在于，包括：衬底及其上形成的外延层，所述外延层的导电类型与所述衬底的导电类型相同；形成在所述外延层内的沟槽及被所述沟槽分割的轻掺杂区，所述轻掺杂区的导电类型与所述衬底的导电类型相反，所述沟槽包括第一沟槽、第二沟槽、第三沟槽和第四沟槽；在所述沟槽的内表面形成有第一介质层，在所述沟槽内的第一介质层上形成有导电的填充层，所述填充层将所述沟槽充满；在所述第三沟槽和第四沟槽之间的轻掺杂区内形成有重掺杂区，所述重掺杂区由不相连接的两部分构成，所述重掺杂区的导电类型与所述衬底的导电类型相同；以及外围金属层，栅极金属层，源极金属层和漏极金属层，所述外围金属层形成在所述第一沟槽之上，所述栅极金属层形成在所述第二沟槽之上，所述源极金属层形成在所述第三沟槽和第四沟槽之间的外延层之上，所述漏极金属层形成在所述衬底之下。