[实用新型]多晶广角发光二极管有效

专利信息
申请号: 201220271918.6 申请日: 2012-06-11
公开(公告)号: CN202796936U 公开(公告)日: 2013-03-13
发明(设计)人: 謝佳翰;黃志騰;陳春芳 申请(专利权)人: 琉明斯光電科技股份有限公司
主分类号: H01L25/075 分类号: H01L25/075;H01L33/48;H01L33/58
代理公司: 天津三元专利商标代理有限责任公司 12203 代理人: 高凤荣
地址: 中国台湾桃园*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种多晶广角发光二极管,包括:一基板,具备导热部及设于导热部侧边的正、负电极;一反射杯体,形成于该基板上;至少二颗发光芯片,设在该导热部而位于该反射杯体内部;一封胶层,设置于该反射杯体内部而将该发光芯片予以包覆;一透镜,设置于该反射杯体与该封胶层的顶缘,且其中间顶面形成凹入部;该凹入部的断面呈V形沟,且沿着该V形沟轮廓下方小于80度的透镜夹角的区域内,至少在对应于该发光芯片的位置,设有使该发光芯片所发出的光线折射的微结构。本实用新型具有能以单一透镜使多芯片的发光二极管,所形成的光型具有广角且出光均匀的功效。
搜索关键词: 多晶 广角 发光二极管
【主权项】:
一种多晶广角发光二极管,包括:一基板,具备导热部及设于导热部侧边的正、负电极;一反射杯体,形成于该基板上;至少二颗发光芯片,设在该导热部而位于该反射杯体内部;一封胶层,设置于该反射杯体内部而将该发光芯片予以包覆;以及一透镜,设置于该反射杯体与该封胶层的顶缘,且其中间顶面形成凹入部;其特征在于:该凹入部的断面呈V形沟,且沿着该V形沟轮廓下方小于80度的透镜夹角(θ)的区域内,至少在对应于该发光芯片的位置,设有使该发光芯片所发出的光线折射的微结构。
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