[发明专利]一种硅片体内重金属的焙烤方法及检测方法在审
| 申请号： | 201210588075.7 | 申请日： | 2012-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103063692A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 包胜娟;贺贤汉;杨建成;洪漪 | 申请（专利权）人： | 上海申和热磁电子有限公司 |
| 主分类号： | G01N23/223 | 分类号： | G01N23/223;G01N1/44 |
| 代理公司： | 上海元一成知识产权代理事务所(普通合伙) 31268 | 代理人： | 赵青 |
| 地址： | 200444 上海市宝*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种硅片体内重金属的焙烤方法及检测方法。将硅片置于180-300℃烘焙20-60min；烘焙后，将硅片冷却至20-25℃；采用全反射X射线荧光光谱检测硅片体内重金属。本发明的方法，将扩散到硅片内部的重金属再扩散至硅片表面，能够采用全反射X射线荧光光谱有效测量并分析硅片污染的状况。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 体内 重金属 方法 检测 | ||
【主权项】：
一种硅片体内重金属的检测方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：(a)将硅片置于180‑300℃烘焙20‑60min；(b)经步骤(a)烘焙后，将硅片冷却至20‑25℃；(c)采用全反射X射线荧光光谱检测硅片体内重金属。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海申和热磁电子有限公司，未经上海申和热磁电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210588075.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
