[发明专利]一种AMOLED的集成结构及集成方法无效
申请号: | 201210585902.7 | 申请日: | 2012-12-28 |
公开(公告)号: | CN103000663A | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
发明(设计)人: | 徐小丽;陈苏杰;李思莹;崔晴宇;郭小军 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 祖志翔 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种AMOLED的集成结构,其由分别制备在两个独立的基板上的底发光结构的OLED面板和驱动电路背板构成;所述OLED面板包括基板和依次层叠在该基板上的阳极层、功能层和阴极层;所述驱动电路背板包括绝缘基板、驱动电路、信号输出端连接点、封装层和扩展电极,其中,绝缘基板位于最底层,驱动电路和信号输出端连接点相互连接且位于绝缘基板之上,封装层位于驱动电路和信号输出端连接点之上,扩展电极位于封装层之上且伸出端穿过封装层与信号输出端连接点相连接;所述OLED面板的阴极层面向对准驱动电路背板的扩展电极并相互叠层粘合。本发明具有良好的工艺兼容性和冗余度,简化了工艺、提高了生产效率,能够促进AMOLED的产业化应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 amoled 集成 结构 方法 | ||
【主权项】:
一种AMOLED的集成结构,其特征在于:所述由分别制备在两个独立的基板上的底发光结构的OLED面板和驱动电路背板构成;所述OLED面板包括基板和依次层叠在该基板上的阳极层、功能层和阴极层;所述驱动电路背板包括绝缘基板、驱动电路、信号输出端连接点、封装层和扩展电极,其中,绝缘基板位于最底层,驱动电路和信号输出端连接点相互连接且位于绝缘基板之上,封装层位于驱动电路和信号输出端连接点之上,扩展电极位于封装层之上且伸出端穿过封装层与信号输出端连接点相连接;所述OLED面板的阴极层面向对准驱动电路背板的扩展电极并相互叠层粘合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的