[发明专利]一种AMOLED的集成结构及集成方法无效
申请号: | 201210585902.7 | 申请日: | 2012-12-28 |
公开(公告)号: | CN103000663A | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
发明(设计)人: | 徐小丽;陈苏杰;李思莹;崔晴宇;郭小军 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 祖志翔 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 amoled 集成 结构 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种有机光电显示器件,更具体地讲,涉及一种有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)的结构及其集成方法,属于光电显示技术领域。
背景技术
有源矩阵有机发光二极管(缩写为AMOLED)由于其主动发光、广视角、高对比度、色域丰富、响应速度快、构造简单、低功耗及可实现柔性显示等特性,将成为下一代显示器件的主力军。鉴于有机发光二极管(OLED)的电流驱动特性,其每个像素都有一个对应由薄膜晶体管(TFT)和电容组成的电路来驱动和控制OLED发光元件,其中驱动薄膜晶体管与OLED直接连接,将电压信号转换成电流,并结合电容和其余薄膜晶体管构成驱动电路,实现像素的选通、驱动和补偿等功能。由OLED和驱动电路组成的像素以阵列形式排列,每个像素都由开关信号和光强信号共同控制,决定像素的开关状态和发光强度,进而形成一幅完整的图像。
以单个像素为例,制备AMOLED的传统的集成工艺是在基板上先制备驱动电路,再在空白的区域制备OLED器件。若采用目前底发光结构的OLED,虽然集成工艺较为成熟并易于实现,但是先制备的不透明的驱动电路会限制发光区域的大小,从而影响像素的开口率;若采用顶发光结构的OLED,虽然可以使像素的开口率不受驱动电路限制,实现约100%的开口率,但是却面临着顶电极、反型层和封装等诸多结构和工艺难点。
发明内容
本发明针对现有技术的不足,提供一种AMOLED的集成结构及集成方法,其结合底发光结构OLED成熟的工艺,利用N型薄膜晶体管对底发光结构OLED驱动的技术,实现等效的顶发光结构的AMOLED系统,从而达到简化工艺步骤、提高生产效率、提高器件的工艺兼容性和冗余度的目的。
本发明是通过以下技术方案实现的:
一种AMOLED的集成结构,其由分别制备在两个独立的基板上的底发光结构的OLED面板和驱动电路背板构成;所述OLED面板包括基板和依次层叠在该基板上的阳极层、功能层和阴极层;所述驱动电路背板包括绝缘基板、驱动电路、信号输出端连接点、封装层和扩展电极,其中,绝缘基板位于最底层,驱动电路和信号输出端连接点相互连接且位于绝缘基板之上,封装层位于驱动电路和信号输出端连接点之上,扩展电极位于封装层之上且伸出端穿过封装层与信号输出端连接点相连接;所述OLED面板的阴极层面向对准驱动电路背板的扩展电极并相互叠层粘合。
所述的驱动电路由若干薄膜晶体管和若干电容构成,该薄膜晶体管包括依次层叠在所述绝缘基板上的栅电极、栅极绝缘层、半导体层和源/漏电极,该电容包括依次层叠在同一绝缘基板上的第一电极、绝缘层和第二电极。
本发明解决其技术问题的另一技术方案为:
一种用于所述AMOLED的集成结构的集成方法,其包括以下具体步骤:
第一步,制备OLED面板:
①利用洗涤剂溶液、丙酮、去离子水和乙醇超声清洗所述基板,再烘干;
②在基板上依次制备所述阳极层、功能层和阴极层;
第二步,制备驱动电路背板:
①利用洗涤剂溶液、丙酮、去离子水和乙醇超声清洗所述绝缘基板,再烘干;
②在所述绝缘基板上依次制备所述薄膜晶体管的栅电极、绝缘层、半导体层、源/漏电极,同时制备所述信号输出端连接点以及所述电容的第一电极、绝缘层和第二电极,并连接各薄膜晶体管和电容构成所述驱动电路,然后采用所述封装层对该驱动电路和信号输出端连接点进行封装,随后贯通该封装层制成连接信号输出端连接点的通道,并在封装层之上和该通道中制备所述扩展电极连接和引出信号输出端连接点。
第三步,集成AMOLED结构:
将制成的OLED面板翻转,使所述阴极层面向所述驱动电路背板的扩展电极,两者对准并叠层粘合,完成AMOLED的集成。
区别于传统的将OLED逐层制备在驱动电路背板上的AMOLED制造技术,本发明将OLED面板与驱动电路背板首先在各自的基板上独立制备完成,然后通过已成熟的对准技术,将OLED面板与驱动电路背板叠层粘合在一起,形成完整的AMOLED系统,实现单个像素以N型薄膜晶体管驱动底发射结构的OLED的技术。
本发明所述的AMOLED集成结构及其集成方法具有以下优点:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学,未经上海交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210585902.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种PCB强风吹干段吹干装置
- 下一篇:一种多功能冷藏室组合照明装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的