[发明专利]具有集成在其中的沟槽电容器结构的半导体装置有效
| 申请号： | 201210574779.9 | 申请日： | 2012-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103367312B | 公开（公告）日： | 2017-12-05 |
| 发明（设计）人： | K·特兰;J·P·埃卢尔;E·M·戈德沙尔克;池内清子;A·斯里瓦斯塔瓦 | 申请（专利权）人： | 马克西姆综合产品公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 周家新,蔡洪贵 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了半导体装置，其包含集成在其中的电容器。在一实施例中，半导体装置包含基板。基板包含多个电容器区，比如邻近彼此的第一电容器区和第二电容器区。每个电容器区包含形成在基板内的沟槽。金属‑绝缘体‑金属电容器形成在沟槽内并且至少部分地位于基板上方。设置在第一电容器区内的沟槽至少基本上垂直于设置在第二电容器区内的沟槽。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 集成 中的 沟槽 电容器 结构 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：基板；设置在所述基板内的多个电容器区，每个所述电容器区包含设置在其中的多个沟槽；以及形成在所述多个沟槽中的每个沟槽内的金属‑绝缘体‑金属电容器，其中，设置在所述多个电容器的第一电容器区内的所述多个沟槽至少基本上垂直于设置在所述多个电容器的第二电容器区内的所述多个沟槽，所述第二电容器区邻近所述第一电容器区，其中，所述多个沟槽具有处于从一百二十五比一至一百五十比一范围内的长宽比，使得所述金属‑绝缘体‑金属电容器包括处于从每平方微米三百毫微微法至每平方微米两千毫微微法范围内的电容密度；所述半导体装置还包括与所述金属‑绝缘体‑金属电容器电连接的多个接触部，其中，所述多个接触部中的至少一个接触部是长条形的，并且相对于所述多个接触部中的另一接触部是冗余的，以减小电阻。
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