[发明专利]发光二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 201210569128.0 | 申请日： | 2012-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN103904187A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 赖志成 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管，包括半导体发光结构，该发光二极管的发光结构上还设置有多个柱体，每一个柱体包括依次堆叠在发光结构上的多个透光层，且该多个透光层的折射率沿远离发光结构的方向递减。该种发光二极管具有光萃取效率高的优点。本发明还提供一种制造该种发光二极管的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，包括半导体发光结构，其特征在于：该发光二极管的发光结构上还设置有多个柱体，每一个柱体包括依次堆叠在发光结构上的多个透光层，且该多个透光层的折射率沿远离发光结构的方向递减。
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