[发明专利]发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管，包括半导体发光结构，其特征在于：该发光二极管的发光结构上还设置有多个柱体，每一个柱体包括依次堆叠在发光结构上的多个透光层，且该多个透光层的折射率沿远离发光结构的方向递减。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述多个透光层为二氧化钛与二氧化硅的复合电介质层，且各透光层中二氧化钛与二氧化硅的掺杂比例不同。

3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述多个透光层的折射率均小于发光结构的折射率，且所述多个透光层的折射率均大于空气的折射率。

4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光结构为氮化镓发光二极管结构，所述多个透光层的折射率大于或等于1.4、且小于或等于2.4。

5.如权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述多个透光层的折射率依次为2.4、2.2、2.0、1.8。

6.一种发光二极管制造方法，其包括步骤：

第一步，提供一半导体发光结构，在该发光结构上依次形成折射率递增的多个透光层，以使该多个透光层覆盖该发光结构；

第二步，在最上方的透光层上沉积一掩膜；

第三步，图案化蚀刻掩膜，以局部暴露出位于掩膜下方的、依次堆叠在发光结构上的多个透光层；

第四步，蚀刻未被掩膜覆盖的、依次堆叠在发光结构上的多个透光层；

第五步，移除剩余的掩膜。

7.如权利要求6所述的发光二极管制造方法，其特征在于，所述第二步采用溅镀的方法在最上方的透光层上沉积一层氧化铟锡薄膜。

8.如权利要求7所述的发光二极管制造方法，其特征在于，所述第三步采用甲烷、氢气以及氯气的混合气体蚀刻氧化铟锡材质的掩膜。

9.如权利要求6所述的发光二极管制造方法，其特征在于，所述第一步提供的多个透光层为二氧化钛与二氧化硅的复合电介质层，且各透光层中二氧化钛与二氧化硅的掺杂比例不同。

10.如权利要求9所述的发光二极管制造方法，其特征在于，所述第四步采用三氟甲烷气体蚀刻多个透光层。