[发明专利]存储器及其读取方法在审

专利信息
申请号: 201210567995.0 申请日: 2012-12-24
公开(公告)号: CN103065668A 公开(公告)日: 2013-04-24
发明(设计)人: 肖军 申请(专利权)人: 上海宏力半导体制造有限公司
主分类号: G11C7/12 分类号: G11C7/12;G11C7/18
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 骆苏华
地址: 201203 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种存储器及其读取方法,所述存储器包括:存储单元区域,分为包括若干存储位的主存储区域和基准值存储区域;若干条互相交叉的字线和位线,每个交叉处连接一个存储位,所述字线分为将外部写入信号存入主存储区域的存储位的主存储字线和将基准信号存入基准值存储区域的存储位的基准值字线;读出单元,所述读出单元测量所述主存储区域的存储位的存储值以及与所测量的所述主存储区域的存储位对应的基准值存储区域的存储位的存储值的平均值,并比较两者的大小,从而读出主存储区域的存储位的存储值。这样所述基准值存储区域与主存储区域随工艺和温度做相同趋势的变化,特性可以保持一致,并且可以大大减少对工艺的要求和电路设计的复杂性。
搜索关键词: 存储器 及其 读取 方法
【主权项】:
一种存储器,其特征在于,包括:存储单元区域,分为主存储区域和基准值存储区域,主存储区域和基准值存储区域均包括若干存储位;若干条互相交叉的字线和位线,每条字线和每条位线的交叉处连接一个存储位,所述字线分为主存储字线和基准值字线,所述主存储字线将外部写入信号存入主存储区域的存储位,所述基准值字线将基准信号存入基准值存储区域的存储位;读出单元,所述读出单元测量所述主存储区域的存储位的存储值以及与所测量的所述主存储区域的存储位对应的基准值存储区域的存储位的存储值的平均值,并比较测量得到的所述主存储区域的存储位的存储值与所述平均值的大小,从而读出主存储区域的存储位的值。
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