[发明专利]存储器及其读取方法在审

专利信息
申请号: 201210567995.0 申请日: 2012-12-24
公开(公告)号: CN103065668A 公开(公告)日: 2013-04-24
发明(设计)人: 肖军 申请(专利权)人: 上海宏力半导体制造有限公司
主分类号: G11C7/12 分类号: G11C7/12;G11C7/18
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 骆苏华
地址: 201203 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 存储器 及其 读取 方法
【权利要求书】:

1.一种存储器,其特征在于,包括:

存储单元区域,分为主存储区域和基准值存储区域,主存储区域和基准值存储区域均包括若干存储位;

若干条互相交叉的字线和位线,每条字线和每条位线的交叉处连接一个存储位,所述字线分为主存储字线和基准值字线,所述主存储字线将外部写入信号存入主存储区域的存储位,所述基准值字线将基准信号存入基准值存储区域的存储位;

读出单元,所述读出单元测量所述主存储区域的存储位的存储值以及与所测量的所述主存储区域的存储位对应的基准值存储区域的存储位的存储值的平均值,并比较测量得到的所述主存储区域的存储位的存储值与所述平均值的大小,从而读出主存储区域的存储位的值。

2.如权利要求1所述的存储器,其特征在于,所述存储器为闪存存储器,每个存储位由闪存晶体管构成。

3.如权利要求2所述的存储器,其特征在于,包括:

所述闪存晶体管具有浮栅,所述存储值为浮栅中通过的电荷量;

所述读出单元包括敏感放大器和转换单元,所述敏感放大器测量所述浮栅中通过的电荷量,所述转换单元将所述电荷量转化为电压信号或者电流信号。

4.如权利要求1所述的存储器,其特征在于,所述基准值字线为2~8条。

5.如权利要求1所述的存储器,其特征在于,所述基准值字线为最靠近读出单元的至少两条连续的字线。

6.如权利要求1所述的存储器,其特征在于,所述存储器还包括控制电路单元。

7.一种存储器的读取方法,所述存储器为如权利要求1至6中任一项所述的存储器,其特征在于,所述读取方法包括:

若所述读出单元判断所述主存储区域的存储位的存储值大于所述平均值,则判定所述主存储区域的存储位的值为“1”;

若所述读出单元判断所述主存储区域的存储位的存储值小于所述平均值,则判定所述主存储区域的存储位的值为“0”。

8.如权利要求7所述的读取方法,其特征在于,所述基准值字线为偶数条;

判断第偶数条所述主存储字线连接的存储位时,使用第偶数条所述基准值字线连接的所有存储位输出的基准值的平均值;

判断第奇数条所述主存储字线所连的存储位时,使用第奇数条基准值字线的连接的所有存储位输出的基准值的平均值。

9.如权利要求7所述的读取方法,其特征在于,所述基准值字线为a条,所述a大于等于2,对应的,将所述主存储字线分为a个连续不重复的部分,每条基准值字线对应一个部分的主存储字线;

判断某条主存储字线连接的存储位的值时,使用其对应的基准值字线连接的所有存储位输出的基准值的平均值。

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