[发明专利]优化自对准接触孔底部金属硅化物形貌的方法有效
| 申请号： | 201210567505.7 | 申请日： | 2012-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN103904020A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 刘凯;熊涛;陈广龙;陈华伦 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种优化自对准接触孔底部金属硅化物形貌的方法，该方法在刻蚀形成接触孔后，成长金属阻挡层前，进行以下工艺步骤：1）在衬底损失区的表面生长一层氧化硅保护层；2）用氮气和氢气进行快速热退火处理；3）去除接触孔底部的氧化硅。本发明通过在衬底损失区域的侧壁上形成氧化硅保护层，避免了自对准接触孔形成时，阻挡层金属Ti与衬底损失区侧壁的Si反应，形成无规则的硅化物延伸，从而保证了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 优化 对准 接触 底部 金属硅 形貌 方法 | ||
【主权项】：
优化自对准接触孔底部金属硅化物形貌的方法，其特征在于，在刻蚀形成接触孔后，成长金属阻挡层前，包括有以下步骤：1）在衬底损失区的表面生长一层氧化硅保护层；2）使用氮气和氢气进行快速热退火处理；3）去除接触孔底部的氧化硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
