[发明专利]一种半导体结构及其制造方法

摘要

本发明提供了一种半导体结构的制造方法，该方法包括以下步骤：提供衬底，所述衬底包括第一方向和第二方向；在所述衬底上形成栅堆叠，所述栅堆叠依次包括第一绝缘层和浮栅，沿着第二方向对浮栅进行刻蚀形成与位线平行的浮栅；沿着第二方向对浮栅顶部进行刻蚀，使其顶部分别与第一方向和第二方向平行的至少两条相交的沟槽；在浮栅上淀积形成第二绝缘层和控制栅，所述第二绝缘层和控制栅在第一方向包裹住浮栅；沿着第一方向对所述浮栅向下刻蚀使得平行的浮栅切断形成浮栅阵列；在每个浮栅第二方向上的两侧形成源/漏区。相应的，本发明还提供了一种半导体结构。本发明可以加强控制栅和浮栅之间的电容耦合，并且降低相邻两列单元间的电容耦合。

主权项

一种半导体结构的制造方法，该方法包括以下步骤：a)提供衬底（100），所述衬底（100）包括第一方向和第二方向；b)在所述衬底（100）上形成栅堆叠，所述栅堆叠依次包括第一绝缘层(110)和浮栅，沿着第二方向对浮栅进行刻蚀形成与第二方向平行的浮栅；c)对浮栅顶部进行刻蚀，使其顶部形成分别与第一方向和第二方向平行的至少两条相交的沟槽；d)在浮栅上淀积形成第二绝缘层（170）和控制栅（180），所述第二绝缘层（170）和控制栅（180）在第一方向包裹住浮栅；e)沿着第一方向对所述浮栅向下刻蚀使得平行的浮栅切断形成浮栅阵列；f)在每个浮栅第二方向上的两侧形成源/漏区(310)。