[发明专利]存储器及其驱动电路、向存储器执行写入操作的方法

摘要

本发明涉及一种存储器及其驱动电路、一种向存储器执行写入操作的方法。该存储器包括驱动电路，所述的驱动电路包括升压电路、分压电路、比较电路及控制电路，其中，控制电路根据被选中执行写入操作的存储单元的位线电流对所述分压电路中输出比较电压的阻抗元件的阻值进行调整。该方法包括当向被选中的存储单元执行写入操作时，根据被选中的存储单元的位线电流对分压电路中向所述比较电路输出比较电压的阻抗元件的阻值进行调整。存储器的驱动电路能够直接产生所需的编程电压，降低了存储器外围驱动电路的损耗，进一步提高了存储器写入操作的工作效率。

主权项

一种存储器，包括存储单元阵列及用于向存储单元的源线提供编程电压的驱动电路，其特征在于，所述的驱动电路包括：升压电路，用于输出编程电压；分压电路，用于对所述升压电路输出的编程电压进行分压获得比较电压，所述分压电路包括至少两个串联的阻抗元件，其中一个阻抗元件输出比较电压；比较电路，用于将所述比较电压与参考电压进行比较并将比较结果反馈至所述升压电路，以调整所述升压电路输出的编程电压；以及，控制电路，用于根据被选中执行写入操作的存储单元的位线电流对所述分压电路中输出比较电压的阻抗元件的阻值进行调整；其中，所述控制电路包括可变电流源，所述可变电流源输出的电流为：Icomp＝x·IBL‑n·IBL，其中，Icomp为可变电流源输出的电流，IBL为存储单元的位线电流，x为写入操作中一个字节所包含的位数，n为被选中执行写入操作的存储单元的个数；所述的阻抗元件为PMOS管，其中，输出比较电压的PMOS管的栅极与控制电路相连，源极输出比较电压；其他PMOS管栅极和漏极相连；所述控制电路还包括电阻，所述电阻的一端与可变电流源及输出比较电压的PMOS管的栅极相连，所述电阻的另一端接地；所述位线电流使所述可变电流源输出的电流与存储单元的源线电流的变化趋势相异。