[发明专利]一种基于深N阱结构的垮芯片保护环电路有效
| 申请号： | 201210563690.2 | 申请日： | 2012-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN103887284A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 董浩然;崔葛;沈红伟 | 申请（专利权）人： | 北京中电华大电子设计有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100102 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于深N阱(Deep Nwell)层垮芯片保护环(Sealring)的连接结构，这种连接结构在芯片垮划片槽传输信号的同时避免破坏本芯片的保护环(Sealring)。该器件包括埋于衬底中的深N阱(Deep Nwell)，作为电阻两端的N阱(Nwell)、Ndiff(N+注入)、Metal(金属)。条带状的Deep Nwell通过与之接触的Nwell延伸至衬底表面，Nwell中的Ndi ff与Metal形成欧姆接触，分别接外部信号线。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 结构 芯片 保护环 电路 | ||
【主权项】：
一种基于深N阱结构的垮芯片保护环电路，其特征在于该电路由P型衬底、深N阱、N阱组成，在P型衬底中形成深N阱埋层，深N阱两端通过N阱延伸至P型衬底表面；N型扩散区注入到N阱中，并通过欧姆接触与金属连接，形成电阻两端；该电路实现芯片内部信号与划片槽传输信号连接，有效避开芯片保护环物理结构，避免破坏芯片保护环和芯片。
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