[发明专利]用于制造带有孔洞的硅微针阵列的方法以及微针阵列在审
| 申请号： | 201210560534.0 | 申请日： | 2012-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN103172015A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | M.斯图伯 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;A61M37/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 宣力伟;杨国治 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 用于制造带有孔洞的硅微针阵列的方法以及微针阵列。本发明涉及一种制造具有孔洞的硅微针阵列的方法，由以下方法步骤开始：a）制造硅微针阵列。下面的方法步骤重复用于多个微针：b）相对于微针阵列的微针定位激光器借助于激光打孔在微针阵列中打孔形成孔洞。可以在针中、针的侧面上或者在针旁边打孔形成孔洞。具有由微机械的半导体材料制成的基底的微针阵列，具有微针以及孔洞，所述微针从基底中伸出。所述微针阵列具有由多孔的微机械的半导体材料制成的微针。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 带有 孔洞 硅微针 阵列 方法 以及 | ||
【主权项】：
由微机械的半导体材料制造具有孔洞（22‑25、42‑45、55‑58、71‑74）的微针阵列（11、30、40、50、60）的方法，由以下方法步骤开始：a）由微机械的半导体材料制造具有平坦侧面（27、69）和针侧面（26、68）的微针阵列（11、30、40、50、60）；其特征在于用于微针阵列的多个微针（13‑16、51‑54、64‑67）的以下方法步骤：b）相对于微针阵列的微针（13‑16、51‑54、64‑67）定位激光器（18‑21）；c）借助于激光打孔在微针阵列中打孔形成孔洞（22‑25、42‑45、55‑58、71‑74）。
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- 本发明公开了一种基于视觉对准的MEMS摩阻传感器制作方法。MEMS摩阻传感器分解为浮动元件、硅微结构、电极基板、接口电路和封装管壳5个部分，硅微结构和电极基板采用MEMS加工工艺制作，浮动元件采用和装管壳采用精密机械加工技术制作，接口电路采用陶瓷基精密微带电路技术制作。MEMS摩阻传感器采用专门的微组装设备和微组装工艺，微组装设备由精密视觉定位系统、三自由度微操作对准平台、真空吸头和图像辨识系统构成；利用视觉精密定位和微操作对准技术完成MEMS摩阻传感器的组装。本发明的基于视觉对准的MEMS摩阻传感器制作方法，提高了MEMS摩阻传感器加工、组装精度，进而提高了其在高超声速风洞内表面摩擦阻力测量的精准度。
- 一种压电MEMS超声波传感器-201822122152.5
- 黄宏林;王俊 - 智驰华芯（无锡）传感科技有限公司;无锡智行华芯高科技投资合伙企业(有限合伙)
- 2018-12-17 - 2019-09-13 - B81C1/00
- 本实用新型公开了一种压电MEMS超声波传感器，涉及传感器技术领域，该压电MEMS超声波传感器包括由第一硅片、二氧化硅薄膜和硅振动膜从底至顶依次层叠形成的硅基结构，硅基结构上表面的二氧化硅薄膜上制备形成有下电极，下电极上制备形成有PZT压电薄膜和二氧化硅钝化层，二氧化硅钝化层露出下电极形成有下电极PAD，PZT压电薄膜上制备形成有上电极，上电极引出至上电极PAD，本申请公开的结构区别于传统的超声波传感器基于压电陶瓷的方案，其基于微米厚度的压电薄膜，且基于弯曲振动模式，所制造的超声波传感器的尺寸可以小到毫米量级，因此具有尺寸小、一致性高以及可以批量制造的优点，而且能够很容易实现阵列，扩展了超声波传感器的应用范围。
- 聚合物芯片的封合装置-201920059155.0
- 彭朝亮 - 华芯智造微电子（重庆）股份有限公司
- 2019-01-15 - 2019-09-10 - B81C1/00
- 本实用新型公开了聚合物芯片的封合装置,包括机体，所述机体的内壁之间固定连接有放置板，所述放置板的上侧壁固定连接有倒立设置的半圆形玻璃罩，所述半圆形玻璃罩上开设有插孔，所述机体内设有真空机构，所述真空机构包括与机体的侧壁固定连接的真空抽气机，所述真空抽气机的抽气端通过插孔插入半圆形玻璃罩内，所述放置板和半圆形玻璃罩上均开设有通孔，所述机体的内顶壁固定连接有第一气缸。本实用新型通过将第一芯片和第二芯片放置在半圆形玻璃罩内，启动真空抽气机，真空抽气机的抽气端对半圆形玻璃罩内的空气进行抽取，使半圆形玻璃罩的内部处于相对真空的状态，第一芯片和第二芯片在半圆形玻璃罩内进行封合，可减少芯片的气泡。
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