[发明专利]氮化物半导体元件和氮化物半导体晶片有效
| 申请号： | 201210558342.6 | 申请日： | 2012-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN103311393A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 彦坂年辉;原田佳幸;吉田学史;杉山直治;布上真也 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： |
本发明涉及一种氮化物半导体元件和氮化物半导体晶片。根据一个实施例，氮化物半导体元件包括基础层、功能层和堆叠体。在基础层与功能层之间提供堆叠体。堆叠体包括第一堆叠中间层，所述第一堆叠中间层包括第一GaN中间层，Alx1Ga1-x1N(0 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 元件 晶片 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体元件，包括：基础层，包括AlN缓冲层，所述基础层具有主表面；功能层，包括氮化物半导体；以及堆叠体，提供在所述主表面与所述功能层之间，所述堆叠体包括第一堆叠中间层，所述第一堆叠中间层包括：第一GaN中间层，提供在所述基础层上；Alx1Ga1‑x1N(0
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