[发明专利]非易失性存储装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201210557218.8 | 申请日： | 2012-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN103178067A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 薮原秀彦;广谷太志;片冈淳司;龟冈恒志 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及非易失性存储装置及其制造方法。根据一个实施方式，本发明的非易失性存储装置具备第1电极、第2电极、设在第1电极与第2电极之间的存储单元。存储单元具有保持部、电阻变化部、离子供给部。保持部设在第1电极上且具有电子阱。电阻变化部设在保持部上。离子供给部设在电阻变化部与第2电极之间且含有金属元素。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储装置，其是具备第1电极、第2电极、以及设在所述第1电极与所述第2电极之间的存储单元的非易失性存储装置，所述存储单元具有：设在所述第1电极上且具有电子阱的保持部；设在所述保持部上的电阻变化部；以及设在所述电阻变化部与所述第2电极之间且含有金属元素的离子供给部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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