[发明专利]感光晶体管、其制造方法以及使用感光晶体管的显示面板有效
| 申请号: | 201210557016.3 | 申请日: | 2012-12-20 |
| 公开(公告)号: | CN103311358A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
| 发明(设计)人: | 田尚勋;宋利宪;安承彦 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | H01L31/113 | 分类号: | H01L31/113;H01L31/0352;H01L31/18;G06F3/042 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 屈玉华 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | 本发明提供了感光晶体管、使用感光晶体管的显示面板、及感光晶体管的制造方法。感光晶体管包括:栅极层;栅绝缘层,在栅极层上;沟道层,在栅绝缘层上;蚀刻停止层,在沟道层的部分区域上;源极和漏极,在沟道层上并彼此分离开,其中蚀刻停止层插置在源极和漏极之间;以及钝化层,覆盖源极、漏极和蚀刻停止层,其中源极与蚀刻停止层分离开。 | ||
| 搜索关键词: | 感光 晶体管 制造 方法 以及 使用 显示 面板 | ||
【主权项】:
一种感光晶体管,包括∶栅极层;栅绝缘层,在所述栅极层上;沟道层,在所述栅绝缘层上;蚀刻停止层,在所述沟道层的部分区域上;源极和漏极,在所述沟道层上并彼此分离开,其中所述蚀刻停止层插置在所述源极和所述漏极之间;以及钝化层,覆盖所述源极、所述漏极和所述蚀刻停止层,其中所述源极与所述蚀刻停止层分离开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





