[发明专利]感光晶体管、其制造方法以及使用感光晶体管的显示面板有效
| 申请号: | 201210557016.3 | 申请日: | 2012-12-20 |
| 公开(公告)号: | CN103311358A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
| 发明(设计)人: | 田尚勋;宋利宪;安承彦 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | H01L31/113 | 分类号: | H01L31/113;H01L31/0352;H01L31/18;G06F3/042 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 屈玉华 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 感光 晶体管 制造 方法 以及 使用 显示 面板 | ||
技术领域
示例实施方式涉及感光晶体管、其制造方法以及使用感光晶体管的显示面板。
背景技术
薄膜晶体管广泛用于各种领域,具体地,用作显示器领域中的开关器件和驱动器件。近来,已经提出了使用薄膜晶体管作为感光元件,用于光学触摸屏。触摸屏装置是用于在屏幕上直接输入数据的装置。换句话说,当用户的手指或触针(例如,笔)触摸触摸屏装置的显示屏上的特定位置时,利用软件执行一系列进程。
当前,广泛使用的触摸屏装置采用通过使用手指或笔来直接触摸显示装置的屏幕的方法。然而,随着显示装置的尺寸增大,用户与显示装置之间的距离增大,因此可能难以使用直接触摸法。光学触摸屏装置是通过感测光而不是通过手指或笔的接触来执行与常规触摸屏相同的功能的装置。光学触摸屏装置被期望不仅用于用户与终端之间的通信而且用于用户之间的通信。
当感光晶体管用于光学触摸屏装置且液晶面板用作显示面板时,输入的光穿过偏光膜并且入射到感光晶体管。当光穿过偏光膜时发生光损失。此外,光损失的程度根据入射角而改变。光电流关于特定的入射角而减少大约10%,使得感光晶体管可能不对入射光作出反应。因此,存在研究解决方案以提高感光效率的要求。
发明内容
示例实施方式涉及感光晶体管、其制造方法和使用感光晶体管的显示面板。
提供了用于具有以下结构的感光晶体管的方法和装置:感光晶体管的沟道层可以被有效地暴露于光,还提供了制造该感光晶体管的方法以及使用该感光晶体管的光学触摸显示面板。
另外的方面将通过后面的描述而部分地阐述,并通过该描述而部分地显见,或者可以通过实践当前实施方式而习之。
根据示例实施方式,一种感光晶体管包括∶栅极层;栅绝缘层,在栅极层上;沟道层,在栅绝缘层上;蚀刻停止层,在沟道层的部分区域上;源极和漏极,在沟道层上并彼此分离开,其中蚀刻停止层插置在源极和漏极之间;以及钝化层,覆盖源极、漏极和蚀刻停止层,其中源极与蚀刻停止层分离开。
沟道层的相应于源极与蚀刻停止层之间的空间的区域可以具有比沟道层的任何其他区域高的电导率。
源极和漏极可以由透明电极材料形成。
源极和漏极可以由金属材料形成。
漏极可以与蚀刻停止层分离开。
沟道层的相应于源极与蚀刻停止层之间的空间的区域以及沟道层的相应于漏极与蚀刻停止层之间的空间的区域可以具有比沟道层的任何其他区域高的电导率。
源极和漏极可以由透明电极材料形成。
源极和漏极可以由金属材料形成。
沟道层可以由包括从铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、铝(Al)及其组合中选择出的至少一个的氧化物形成。
沟道层可以由半导体材料形成。
根据示范实施方式,一种光学触摸显示面板包括∶显示单元,配置为根据图像信息而在开启状态和关闭状态之间被控制;以及如上所述的感光晶体管,其中感光晶体管配置为感测入射光。
漏极可以与蚀刻停止层分离开。
源极和漏极可以由透明电极材料形成。
源极和漏极可以由金属材料形成。
显示单元可以包括液晶材料。
根据示例实施方式,一种制造感光晶体管的方法,该方法包括∶在栅极层上顺序形成栅绝缘层和由半导体材料形成的沟道层;在沟道层的部分区域上形成蚀刻停止层;形成导电材料层以完全覆盖沟道层和蚀刻停止层;蚀刻导电材料层的部分区域以暴露蚀刻停止层,其中导电材料层被分离成源极和漏极,源极与蚀刻停止层分离开形成;以及形成钝化层以覆盖源极、漏极和蚀刻停止层。
导电材料层可以由透明电极材料形成。
导电材料层可以由金属材料形成。
漏极可以与蚀刻停止层分离开。
沟道层可以由包括从铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、铝(Al)及其组合中选择出的至少一个的氧化物形成。沟道层可以由半导体材料形成。
附图说明
通过下文结合附图对示例实施方式的描述,上述和/或其他方面将变得明显且更易于理解,附图中:
图1是示意性示出根据示例实施方式的感光晶体管的结构的截面图;
图2A和图2B分别是根据比较例的感光晶体管的结构的截面图以及根据光束位置的光电流的曲线图;
图3是示意性示出根据示例实施方式的感光晶体管的结构的截面图;
图4是示意性示出根据示例实施方式的感光晶体管的结构的截面图;
图5是示意性示出根据示例实施方式的感光晶体管的结构的截面图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210557016.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于供体膜的托盘
- 下一篇:薄膜晶体管、显示设备和有机发光显示设备
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





