[发明专利]感光晶体管、其制造方法以及使用感光晶体管的显示面板有效
| 申请号: | 201210557016.3 | 申请日: | 2012-12-20 |
| 公开(公告)号: | CN103311358A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
| 发明(设计)人: | 田尚勋;宋利宪;安承彦 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | H01L31/113 | 分类号: | H01L31/113;H01L31/0352;H01L31/18;G06F3/042 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 屈玉华 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 感光 晶体管 制造 方法 以及 使用 显示 面板 | ||
1.一种感光晶体管,包括∶
栅极层;
栅绝缘层,在所述栅极层上;
沟道层,在所述栅绝缘层上;
蚀刻停止层,在所述沟道层的部分区域上;
源极和漏极,在所述沟道层上并彼此分离开,其中所述蚀刻停止层插置在所述源极和所述漏极之间;以及
钝化层,覆盖所述源极、所述漏极和所述蚀刻停止层,
其中所述源极与所述蚀刻停止层分离开。
2.如权利要求1所述的感光晶体管,其中所述沟道层的相应于所述源极与所述蚀刻停止层之间的空间的区域具有比沟道层的任何其他区域高的电导率。
3.如权利要求1所述的感光晶体管,其中所述源极和所述漏极由透明电极材料形成。
4.如权利要求1所述的感光晶体管,其中所述源极和所述漏极由金属材料形成。
5.如权利要求1所述的感光晶体管,其中所述漏极与所述蚀刻停止层分离开。
6.如权利要求5所述的感光晶体管,其中所述沟道层的相应于所述源极与所述蚀刻停止层之间的空间的区域以及所述沟道层的相应于所述漏极与所述蚀刻停止层之间的空间的区域具有比沟道层的任何其他区域高的电导率。
7.如权利要求5所述的感光晶体管,其中所述源极和所述漏极由透明电极材料形成。
8.如权利要求5所述的感光晶体管,其中所述源极和所述漏极由金属材料形成。
9.如权利要求1所述的感光晶体管,其中所述沟道层由包括从铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、铝(Al)及其组合中选择出的至少一个的氧化物形成。
10.如权利要求1所述的感光晶体管,其中所述沟道层由半导体材料形成。
11.一种光学触摸显示面板,包括∶
显示单元,配置为根据图像信息而在开启状态和关闭状态之间被控制;以及
如权利要求1所述的感光晶体管,其中所述感光晶体管配置为感测入射光。
12.如权利要求11所述的光学触摸显示面板,其中所述漏极与所述蚀刻停止层分离开。
13.如权利要求11所述的光学触摸显示面板,其中所述源极和所述漏极由透明电极材料形成。
14.如权利要求11所述的光学触摸显示面板,其中所述源极和所述漏极由金属材料形成。
15.如权利要求11所述的光学触摸显示面板,其中所述显示单元包括液晶材料。
16.一种制造感光晶体管的方法,该方法包括∶
在栅极层上顺序形成栅绝缘层和沟道层;
在所述沟道层的部分区域上形成蚀刻停止层;
形成导电材料层以完全覆盖所述沟道层和所述蚀刻停止层;
蚀刻所述导电材料层的部分区域以暴露所述蚀刻停止层,其中所述导电材料层被分离成源极和漏极,所述源极与所述蚀刻停止层分离开形成;以及
形成钝化层以覆盖所述源极、所述漏极和所述蚀刻停止层。
17.如权利要求16所述的方法,其中所述导电材料层由透明电极材料形成。
18.如权利要求16所述的方法,其中所述导电材料层由金属材料形成。
19.如权利要求16所述的方法,其中所述漏极与所述蚀刻停止层分离开。
20.如权利要求16所述的方法,其中所述沟道层由包括从铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、铝(Al)及其组合中选择出的至少一个的氧化物形成。
21.如权利要求16所述的方法,其中所述沟道层由半导体材料形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





