[发明专利]具有改进的击穿电压性能的高电子迁移率晶体管结构

摘要

一种HEMT包括：硅衬底；位于硅衬底上方的非故意掺杂氮化镓(UIDGaN)层；位于UID GaN层上方的供给层；位于供给层上方的栅极结构、漏极、和源极；以及具有一个或多个接触或者几乎接触UID GaN层的掩埋部的钝化材料层。在供给层和UID GaN层的界面处的载流子沟道层在栅极和漏极之间的漂移区中具有不导电块。还提供了一种制造HEMT的方法。本发明提供了具有改进的击穿电压性能的高电子迁移率晶体管结构。

主权项

一种高电子迁移率晶体管(HEMT)，包括：硅衬底；非故意掺杂氮化镓(UID GaN)层，位于所述衬底上方；供给层，位于所述UID GaN层上方；载流子沟道层，位于所述UID GaN层和所述供给层的界面处；栅极结构、漏极、和源极，都位于所述供给层上方，所述栅极结构设置在所述漏极和所述源极之间；钝化层，位于所述栅极结构和所述漏极之间的所述供给层的上方，所述钝化层的介电常数小于所述供给层的介电常数；其中，所述载流子沟道层具有比位于所述栅极结构和所述漏极之间的漂移区中的所述UID GaN层更小的表面积。