[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置的制造方法，该制造方法包括提供一基底，其具有交替排列的多个第一隔离结构及多个第二隔离结构；在基底的每一第二隔离结构上形成一绝缘突出部；在每一绝缘突出部的两相对侧壁上分别形成一导电间隙壁，以露出每一第一隔离结构；在露出的每一第一隔离结构上形成一绝缘层。通过本发明，由于掩膜图案层仅覆盖对应于第二隔离结构的氧化硅层，使绝缘层中开口深宽比降低，进而减少刻蚀工艺中发生开口底部缩口或刻蚀不完全造成桥接的问题发生，因此，降低了后续形成的接触插塞出现缺陷的可能性。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，所述半导体装置的制造方法包括：提供一基底，所述基底具有交替排列的多个第一隔离结构及多个第二隔离结构；在所述基底的每一所述多个第二隔离结构上形成一绝缘突出部，包括：在所述基底上形成一氧化硅层；在所述氧化层上形成一掩膜图案层，以覆盖对应于每一所述多个第二隔离结构的所述氧化硅层；以及对所述掩膜图案层下方的所述氧化硅层进行一刻蚀工艺，以露出所述多个第一隔离结构及形成所述绝缘突出部；在每一所述绝缘突出部的两相对侧壁上分别形成一导电间隙壁，以露出每一所述多个第一隔离结构；以及在露出的每一所述多个第一隔离结构上形成一绝缘层。