[发明专利]一种阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 201210546652.6 | 申请日： | 2012-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN103018977A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 杨静;宁策 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1343 | 分类号： | G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及液晶显示装置的制造领域，特别涉及一种阵列基板及其制造方法，用于解决现有基于ADS结构的TFT-LCD制作工艺复杂且效率低的问题。本发明实施例阵列基板的每个像素区域包括：位于衬底基板上的漏电极、源电极以及与该漏电极搭接的像素电极，其中像素电极采用单壁碳纳米管材料；位于漏电极、源电极及像素电极上的有源层；位于有源层上的栅绝缘层；以及位于栅绝缘层上的栅极和公共电极，该公共电极具有狭缝状结构。本发明实施例采用三次构图工艺即可制备而成阵列基板，简化了制造工艺，提高了制造效率，且降低了制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种阵列基板，包括多个像素区域，其特征在于，每个所述像素区域包括：位于衬底基板上的漏电极、源电极以及与所述漏电极搭接的像素电极，其中，所述像素电极采用单壁碳纳米管材料；位于所述漏电极、所述源电极及所述像素电极上的有源层；位于所述有源层上的栅绝缘层；以及位于所述栅绝缘层上的栅极和公共电极，该公共电极具有狭缝状结构。
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