[发明专利]一种阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板，包括多个像素区域，其特征在于，每个所述像素区域包括：

位于衬底基板上的漏电极、源电极以及与所述漏电极搭接的像素电极，其中，所述像素电极采用单壁碳纳米管材料；

位于所述漏电极、所述源电极及所述像素电极上的有源层；

位于所述有源层上的栅绝缘层；以及

位于所述栅绝缘层上的栅极和公共电极，该公共电极具有狭缝状结构。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极采用单壁碳纳米管材料。

3.如权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层采用金属氧化物半导体材料；且所述有源层中未与所述栅绝缘层接触的部分经氧化处理后具有绝缘特性。

4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述漏电极和所述源电极与所述像素电极位同层设置，且采用相同的材料；或，

所述漏电极和所述源电极均采用金属材料，且所述源电极与所述衬底基板之间形成有辅助电极，所述辅助电极与所述像素电极同层设置且采用相同的材料。

5.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极与所述公共电极同层设置，且采用相同的材料；或

所述栅极采用金属材料；且所述栅极和所述栅绝缘层之间形成有透明电极，所述透明电极与所述公共电极同层设置且采用相同的材料。

6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅绝缘层和所述有源层上与所述源电极对应的位置具有贯穿所述栅绝缘层和所述有源层的过孔。

7.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，该方法包括：

通过一次构图工艺，在衬底基板上形成像素电极、漏电极和源电极，其中，所述像素电极采用的材料为单壁碳纳米管；

通过一次构图工艺，在形成有所述像素电极、所述漏电极和所述源电极的衬底基板上，形成有源层和栅绝缘层；

通过一次构图工艺，在形成有所述栅绝缘层和所述有源层的衬底基板上，形成栅极和公共电极，该公共电极具有狭缝状结构。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成像素电极、漏电极和源电极，包括：

在衬底基板上依次沉积第一单壁碳纳米管薄膜和第一金属薄膜，并通过一次构图工艺在沉积有第一单壁碳纳米管薄膜和第一金属薄膜的衬底基板上形成像素电极、漏电极和源电极；或

在衬底基板上沉积第一单壁碳纳米管薄膜，并通过一次构图工艺在沉积有第一单壁碳纳米管薄膜的衬底基板上形成像素电极、漏电极和源电极。

9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述形成有源层和栅绝缘层，包括：

在形成有所述像素电极、所述漏电极和所述源电极的衬底基板上，沉积金属氧化物薄膜，作为所述有源层；

在所述有源层上沉积绝缘薄膜，作为所述栅绝缘层，通过一次构图工艺刻除位于显示区域的栅绝缘层，并形成贯穿所述栅绝缘层及所述有源层的过孔以露出所述源电极；

对所述有源层中未与所述栅绝缘层接触的部分进行氧化处理，使其具有绝缘特性。

10.如权利要求8或9所述的方法，其特征在于，所述形成栅极和公共电极，包括：

在形成栅绝缘层和有源层的衬底基板上，依次沉积第二单壁碳纳米管薄膜和第二金属薄膜，并通过一次构图工艺在沉积有第二单壁碳纳米管薄膜和第二金属薄膜的衬底基板上形成栅极和公共电极；或

在形成栅绝缘层和有源层的衬底基板上，沉积第二单壁碳纳米管薄膜，并通过一次构图工艺在沉积有第二单壁碳纳米管薄膜的衬底基板上形成栅极和公共电极。