[发明专利]一种阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示装置的制造领域，特别涉及一种阵列基板及其制造方法。

背景技术

液晶显示器（LCD，Liquid Crystal Display）具有体积小、重量轻、功耗低、辐射低及制造成本低等特点，已被广泛应用于各种电子设备中，如显示器、电视、手机、数码相机等数字电子设备。其中，TFT-LCD（Thin Film Transistor LiquidCrystal Display，薄膜晶体管液晶显示器）是一种主要的平板显示装置（FPD，Flat Panel Display）。

根据驱动液晶的电场方向，TFT-LCD分为垂直电场型、水平电场型和多维电场型。其中，垂直电场型TFT-LCD需要在阵列基板上形成像素电极，在彩膜基板上形成公共电极；水平电场型和多维电场型TFT-LCD需要在阵列基板上同时形成像素电极和公共电极。垂直电场型TFT-LCD包括：扭曲向列TN（Twist Nematic）型TFT-LCD；水平电场型TFT-LCD包括：共平面切换IPS（In-Plane Switching）型TFT-LCD；多维电场型TFT-LCD包括：高级超维场转换技术（ADvanced Super Dimension Switch，简称ADS）型TFT-LCD。

以ADS结构为例，ADS技术主要通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹（push Mura）等优点。

然而，现有的基于ADS结构的TFT-LCD阵列基板通常都需要经过4次或5次mask工艺（掩模曝光工艺）；由于制作工艺比较复杂，生产效率也会受到影响。

综上所述，现有基于ADS结构的TFT-LCD阵列基板通常都需要经过4次或5次掩膜工艺，制作工艺复杂，效率低。

发明内容

本发明实施例提供了一种阵列基板及其制造方法，用于解决现有技术中基于ADS结构的TFT-LCD通常都需要经过4次或5次掩膜工艺，制作工艺复杂，效率低的问题。

本发明实施例提供了一种阵列基板，包括多个像素区域，其中，每个所述像素区域包括：

位于衬底基板上的漏电极、源电极以及与所述漏电极搭接的像素电极，其中，所述像素电极采用单壁碳纳米管材料；

位于所述漏电极、所述源电极及所述像素电极上的有源层；

位于所述有源层上的栅绝缘层；以及

位于所述栅绝缘层上的栅极和公共电极，该公共电极具有狭缝状结构。

优选的，所述公共电极采用单壁碳纳米管材料。

优选的，所述有源层采用金属氧化物半导体材料；且所述有源层中未与所述栅绝缘层接触的部分经氧化处理后具有绝缘特性。

优选的，所述漏电极和所述源电极与所述像素电极采用相同的材料，且所述漏电极与所述像素电极为一体结构；或，

所述漏电极和所述源电极均采用金属材料，且所述源电极与所述衬底基板之间形成有辅助电极，所述辅助电极与所述像素电极同层设置且采用相同的材料。

优选的，所述栅极与所述公共电极同层设置，且所述栅极与所述公共电极采用相同的材料；或

所述栅极采用金属材料；且所述栅极和所述栅绝缘层之间形成有透明电极，所述透明电极与所述公共电极同层设置且采用相同的材料。

优选的，所述栅绝缘层和所述有源层上与所述源电极对应的位置具有贯穿所述栅绝缘层和所述有源层的过孔。

本发明实施例提供了一种阵列基板的制造方法，包括：

通过一次构图工艺，在衬底基板上形成像素电极、漏电极和源电极；其中，所述像素电极采用的材料为单壁碳纳米管；

通过一次构图工艺，在形成有所述像素电极、所述漏电极和所述源电极的衬底基板上，形成有源层和栅绝缘层；

通过一次构图工艺，在形成有所述栅绝缘层和所述有源层的衬底基板上，形成栅极和公共电极，该公共电极具有狭缝状结构。

优选的，所述在衬底基板上形成像素电极、漏电极和源电极，包括：

在衬底基板上依次沉积第一单壁碳纳米管薄膜和第一金属薄膜，并通过一次构图工艺在沉积有第一单壁碳纳米管薄膜和第一金属薄膜的衬底基板上形成像素电极、漏电极和源电极；或