[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置有效
| 申请号： | 201210544445.7 | 申请日： | 2012-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN103022148A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 高涛 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/02;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;安利霞 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，通过形成包括纵向TFT在内的阵列基板图形，且所述纵向TFT包括形成于衬底基板之上的像素电极；形成于所述像素电极之上的漏电极；形成于所述漏电极之上的半导体复合层；形成于所述半导体复合层之上的源电极；所述漏电极、半导体复合层以及源电极，形成TFT沟道。具有像素的开口率大、工艺简单、可降低阵列基板制作成本的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种阵列基板，包括TFT区域，其特征在于，所述TFT区域包括：形成于衬底基板之上的像素电极；形成于所述像素电极之上的漏电极；形成于所述漏电极之上的半导体复合层；形成于所述半导体复合层之上的源电极；所述漏电极、半导体复合层以及源电极，形成TFT沟道。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210544445.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种可靠密封性软管接头
- 下一篇：一种隔热软管
- 同类专利
- 专利分类
